Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 70 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

70
26. Смысловая и физическая интерпретация начальных условий
различных типов.
3.5. Задачи и упражнения
1. Распределение концентрации неосновных носителей в базовой
области
p-n перехода при переключении его из режима прямого смещения
генератором тока в режим обратного смещения генератором напряжения
подчиняется функциональной зависимости (3.2). Используя среду
Mathcad,
построить графики функций распределения
()
TXP , для значений T=0;
0,0001; 0,001; 0,01; 0,1 и различных значений
n
P ,
1
P . Дать физическую
интерпретацию полученным зависимостям. Сравнить количественные
значения концентраций для различных сочетаний параметров
X и T.
2. Учитывая зависимость (3.3), построить с привлечением
Mathcad
графики импульсов переходного тока для различных наборов параметров
1
P ,
n
P ,
p
L ,
p
τ . Сопоставить мгновенные значения переходных токов в
одинаковые моменты времени. Определить количественные значения
коэффициентов чувствительности параметров
n
P ,
p
L ,
p
τ .
3. Используя зависимость (3.9) и вычислительную среду
Mathcad,
построить графики распределения концентраций неосновных носителей в
базовой области полупроводникового диода по координатам и по времени
для различных значений напряжений источников прямого и обратного
смещений и сопротивлений внешней цепи. Объяснить различия, получить
количественные оценки значений концентраций и градиентов при
сопоставимых условиях. Найти количественные значения коэффициентов
чувствительности градиентов концентраций по величине сопротивления
внешней цепи.
4. Распределение концентраций неосновных носителей в базовой
области
p-n перехода в состояние обратного смещения соответствует
функциональной зависимости (3.11). Используя программу
Mathcad,
построить графики распределения концентраций по координатам и во
времени для различных сочетаний параметров внешней электрической
цепи. Сравнить количественные значения концентраций и градиентов при
сопоставимых условиях, объяснить различия.
5. Используя функцию распределения (3.9), определить длительность
первой стадии процесса переключения диода в состояние обратного
смещения для различных значений параметров внешней цепи.
6. Построить графики временной зависимости спада
послеинжекционной ЭДС на
p-n переходе при различных температурах

Страницы