Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 68 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

68
достаточной для существенного (различимого) изменения состояния
электронной системы. Независимо от вида и физической природы внешних
воздействий исследование вызываемых ими нестационарных процессов
происходит по общей схеме: постановка краевой задачи, решение краевой
задачи, синтез математических моделей исследуемых процессов.
Математические модели нестационарных эффектов в
p-n переходах
необходимы для оптимизации параметров физико-топологических
моделей дискретных устройств и микроструктур высокого
быстродействия.
3.4. Контрольные задания
1. Зонная диаграмма
p+-n перехода; положение уровня Ферми в p+ и
n – областях.
2. Концентрации, распределение и характеристики примесей в
p+ и n
– областях резкого
p-n перехода.
3. Соотношение между концентрациями неосновных и основных
носителей в
p и n областях p-n перехода.
4. Зависимость коэффициента инжекции от концентрации примесей
для резкого
p-n перехода.
5. Факторы, определяющие стационарные и нестационарные
распределения концентраций неравновесных неосновных носителей заряда
в базовой области
p-n перехода при воздействии импульса прямого тока
(напряжения).
6. Влияние внутреннего сопротивления источника прямого смещения
на закономерности стационарных и нестационарных распределений
концентраций неравновесных НН в базовой области
p-n перехода.
7. Особенности пространственно-временного распределения
неравновесных неосновных носителей в базовой области
p-n перехода при
воздействии импульса прямого тока.
8. Особенности пространственно-временного распределения
неравновесных НН в области базы при воздействии импульса напряжения
прямого смещения.
9. Критериальные оценки “короткого” и “длинного” импульса,
“толстой” и “тонкой” базовой области.
10. Особенности распределения концентраций неравновесных
неосновных носителей по координате и во времени в
n-области при
воздействии “короткого” импульса прямого тока.
11. Особенности распределения концентраций неравновесных НН по
координате и во времени в
n-области p-n перехода при воздействии
“короткого” импульса напряжения.

Страницы