Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 67 стр.

UptoLike

67
0
0.5 1 1.5
P(X,T)/P
1
0.5
1.0
X
0
T
5
T
4
T
3
T
2
T
1
Рис. 3.10. Распределение концентраций НН в базовой области по координате и во
времени при воздействии импульса напряжения прямого смещения (T
1
=0,001; T
2
=0,01;
T
3
=0,05; T
4
=0,17; T
5
=0,5)
Стационарное распределение концентрации дырок можно
определить из (3.34) при
f
T
()
X
ePXP
=
1
,,
что позволяет оценить толщину приконтактного слоя, в котором
концентрация неравновесных носителей спадает до уровня
05,0
1
=PP ,
ppp
DLl τ== 33. Такая оценка l позволяет определить минимальную
толщину базовой области, допускающую возможность анализа
переходных процессов лишь с одним граничным условием при 0
=
X
,
поскольку тыловой омический контакт не влияет на распределение
концентрации HH по координате. В диодах с тонкой базой
p
Ll 3< на
распределение
()
TXP , оказывает влияние тыловой контакт к n-области.
Поэтому решения краевых задач для
p-n переходов с ''тонкой '' базой
должны удовлетворять двум граничным условиям, что подразумевает
применение других математических методов [6], [7], а возможности
нахождения приемлемых решений значительно уменьшаются.
Приведенные примеры исследования переходных процессов в
диодах, обусловленные скачкообразными изменениями электрических
режимов, не охватывают всех возможных ситуаций. Они иллюстрируют
методологию постановки и решения краевых задач, получения
математических моделей переходных процессов, основные
закономерности формирования переходных токов и напряжений,
вытекающие из особенностей пространственно-временного распределения
HH в базовой области в течение переходного процесса.
Нестационарные процессы в неоднородных полупроводниках
происходят во всех случаях внешних воздействий высокой интенсивности,