Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 66 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

66
()
π
−
π
≅
−=
f
f
f
f
f
T
X
TPX
T
Terf
TerfPTXP
2
exp
2
exp,
11
. (3.31)
При больших длительностях
32K>
f
T
выражение (3.31) принимает
вид
()
.exp,
1
−=
f
T
X
PTXP
(3.32)
Зависимость (3.32) отражает экспоненциальный характер распределения
концентрации дырок в базовой области. Такая закономерность сохраняется
и при малых длительностях
f
T импульса прямого тока.
Принципиальной особенностью режима воздействия импульса
прямого тока на
p-n переход является поддержание постоянного градиента
концентрации дырок на границе
p-n перехода (см. рис. 3.9). В случае
воздействия импульса напряжения прямого смещения
()
0
н
→R на p-n
переход граничная концентрация мгновенно возрастает до значения
1
P .
Распределение концентраций дырок в области базы за время действия
импульса напряжения можно установить, решая краевую задачу
() ()
()
,
,,
2
2
n
PP
X
TXP
T
TXP
−−
∂
∂
=
∂
∂
()
,,0
1
PTP =
()
.00, =XP (3.33)
Результатом является выражение
()
++
−=
−
f
f
X
f
f
X
T
T
X
erfceT
T
X
erfce
P
TXP
22
2
,
1
. (3.34)
Графики функции (3.34) при различных значениях фиксированной
длительности импульса прямого напряжения
f
T представлены на рис.
3
.10. Из формулы (3.34) и рис. 3.10 следует, что при 0=
X
, и 0=
f
T
всегда
()
1
0,0 PP = , более того, всегда
(
)
1
,0 PTP
f
= , т.е. концентрация
1
P на
границе p-n перехода поддерживается постоянной на протяжении
переходного процесса. Это является следствием граничного условия
()
1
,0 PTP = в (3.33) и принципиальным отличием от режима воздействия
импульса прямого тока, когда
const=
f
j и переходный процесс протекает
в условиях постоянства градиента концентрации дырок на границе
перехода.

Страницы