Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 64 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

64
Рассмотрим особенности краевой задачи, отражающей процесс
установления распределения концентрации HH в базовой области p-n
перехода применительно к низкому уровню инжекции. Начальное условие
отражает отсутствие HH в области базы, когда прямой ток не протекает
()
.0,
n
PXP =
Граничное условие отражает постоянство прямого тока, поэтому
()
p
p
qD
Lj
X
TP
f
−=
∂
∂ ,0
.
Уравнение диффузии вместе с приведенными начальным и граничным
условиями образуют краевую задачу распределения концентрации дырок в
базовой области n-типа при прохождении импульса прямого тока через
p-n переход. Ее решение известно [1]
()
,
2
2
2
1
,
1
nf
f
X
f
f
X
PT
T
X
erfce
T
T
X
erfcePTXP
+
+−
−
−=
−
(3.28)
где
pff
tT τ= – нормированная длительность импульса прямого тока
через p-n переход. Графическая интерпретация зависимости (3.28)
представлена на рис. 3.9.
R
н
i
0
t
а
U
pn
0
t
U
б
U
б
(
0
)
U
б
(∞)
0
t
U
0
t
б в г
Рис. 3.8. Включение диода в режиме прямого смещения: а - форма импульса
прямого тока; б - напряжения на p-n переходе; в - базовой области; г - диоде в целом

Страницы