Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 63 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

63
отражающему механизм уменьшения заряда емкости в результате
протекания обратного тока p-n перехода.
Рассмотренные закономерности спада послеинжекционного
напряжения относятся к случаю относительно низкого уровня инжекции
1<∆ , когда время жизни HH (дырок) в базе постоянно, не зависит от ∆ .
Решение уравнения диффузии для случая 1>>∆ , ∞→
н
R приводит к
уравнению
()
p
T
dt
tdU
τ
ϕ
−≅ 4,1 , (3.27)
отличающемуся от (3.16) только постоянным коэффициентом,
отражающим эффект уменьшения постоянной времени процесса спада
напряжения на линейном участке в 1,4 раза. По мере уменьшения
напряжения
()
tU и перехода к условию 1≤∆ постоянная времени
возрастает до значения
P
τ
и выражение (3.27) переходит в (3.16).
Следовательно, на зависимости
()
tU при 1>>∆ можно выделить
начальный нелинейный участок (см. рис. 2.8), переходящий по мере спада
послеинжекционного напряжения в линейный. Начальный перепад
напряжения на нелинейном участке обусловлен падением напряжения,
создаваемого прямым током на сопротивлении базовой области.
Прекращение прямого тока сопровождается уменьшением до нуля этой
составляющей напряжения на p-n переходе, что и отражается на начальном
участке изменения переходного напряжения.
3.3. Переходные процессы в p-n переходах при воздействии
импульса прямого тока
Воздействие напряжения прямого смещения на p-n переход
сопровождается установлением равновесного распределения неосновных
носителей в области базы. Инерционность этого процесса определяет
длительность переходного процесса установления напряжения на p-n
переходе. Малое по сравнению с
н
R
сопротивление p-n перехода означает,
что прямое смещение осуществляется генератором тока. Следовательно, в
этом режиме через p-n переход протекает прямоугольный импульс тока, а
форма переходного напряжения определяется в основном
характеристиками базовой области. На рис. 3.8 представлены графики
переходных напряжений на собственно p-n переходе, области базы и диоде
в целом. Из рис. 3.8 следует, что форма переходного напряжения может
значительно
изменяться от плавного нарастания (''емкостной'' тип
переходной характеристики) до резкого выброса (''индуктивный'' тип
переходной характеристики).

Страницы