Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 61 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

61
где
()
c
tI – величина переходного тока в момент
c
t ,
() ( )
н
RtUtI
c
= .
Из формулы (3.21) вытекает экспоненциальный закон спада
послеинжекционного напряжения, начиная с момента
c
tt > , с
характеристическим временем
p
τ
.
Расчеты позволили определить величину
н
R , при которой
сохраняется линейный закон
()
tU в интервале значений
()()
202 −
ϕ
<<
T
UT , т.е. когда
н
R можно считать практически
бесконечной величиной
∞
н
R
,
m
T
f
T
e
I
R
ϕ
≅
∞
5,1
н
, (3.22)
где
()()
20 −
ϕ
=
T
m
UT ;
fT
I
ϕ
– сопротивление прямосмещенного p-n
перехода. Зависимость
m
T от прямого тока выражается через граничную
концентрацию HH
ppf
qDLjP ≅
1
и начальное напряжение на p-n
переходе
() ()
n
T
PPU
1
ln0
ϕ
= , что позволяет записать
()
.2ln2
0
−
=−
ϕ
=
np
pf
T
m
PqD
Lj
U
T
Тогда оценка (3.22) принимает вид
p
p
n
T
np
pT
np
pf
f
T
DSqPPSqD
L
PqD
Lj
I
R
τ
ϕ
=
ϕ
=
ϕ
≅
∞
2,02,02,0
н
, (3.23)
где
S – площадь p-n перехода. Учитывая соотношение между
концентрациями основных
n
n и неосновных
n
p носителей для n-области
ndinn
pNnpn ==
2
, где
d
N - концентрация донорных примесей
представим уравнение (3.23) в виде
p
p
i
dT
D
Sqn
N
R
τ
ϕ
≅
∞
2
н
2,0 . (3.24)
Из выражения (3.24) следует, что величина минимального сопротивления в
цепи замыкания обратного тока
p-n перехода, при котором сохраняются
условия холостого хода, пропорциональна концентрации донорных
примесей в области базы. Более строгая оценка должна учитывать
зависимость
()
dp
Nτ . Рассмотрим пример. Пусть
322
м10
−
=
d
N ,
28
м10
−
=
S
, с105
7−
⋅=τ
p
,
123
см102,1
−−
⋅=
p
D , В024,0=
ϕ
Т
,
Кл106,1
19−
⋅=q ,
316
м102 ⋅=
i
n . Расчет по (3.24) приводит к оценке

Страницы