Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 62 стр.

UptoLike

62
Ом105,7
11
н
=
R
. Столь большое значение нагрузочного сопротивления
означает, что в реальных условиях процесс спада послеинжекционного
напряжения всегда будет иметь точку излома, в которой линейный участок
зависимости переходит в экспоненциальный. Степень приближения этой
точки к моменту окончания процесса возрастает для
p-n переходов с
большой площадью и малой степенью легирования области базы.
Действительно, расчет по (3.24) при измененных значениях
24
м105
=
S
,
321
м10
=
d
N дает Ом103
9
н
=
R , что значительно меньше
предыдущей, но все еще нереализуемой практически величины. Важно
отметить, что величина
н
R
не зависит от прямого тока, т.е. не поддается
регулированию изменением режима накопления заряда HH в области базы.
В реальных условиях регистрации переходных процессов
параллельно диоду подключается емкость
н
C
, равная сумме паразитных
емкостей монтажа и входной емкости измерительного прибора. При
протекании прямого тока
f
I конденсатор с емкостью
н
C
заряжается до
напряжения
()
0U . Начиная с момента отключения прямого тока через p-n
переход будет протекать прямой ток, обусловленный зарядом
конденсатора, частично восполняющий убыль заряда HH в базовой
области вследствие рекомбинации. Следовательно, включение
конденсатора параллельно p-n переходу приводит к увеличению
длительности и изменению формы переходного процесса спада
напряжения. Степень влияния на переходный процесс возрастает по мере
увеличения емкости
н
C
.
Строгое решение краевой задачи с нелинейным граничным условием
найти не удается. Поэтому используют приближенные оценки для частных
случаев. В частности, для очень малых напряжений
()
0U,
соответствующих малым прямым токам
f
I
, получена зависимость [1]
()
()
t
CI
U
T
T
s
T
eetU
ϕ
ϕ
ϕ=
н
0
1 , (3.25)
где
s
I обратный тепловой ток насыщения p-n перехода.
Для случая очень большого обратного напряжения переходное
напряжение спадает по закону
() ( )
t
C
I
UtU
s
н
0 = , (3.26)