Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 65 стр.

UptoLike

65
0.5
11.5
0.5
1
P(X,T)
P
1
0
X
0
T
5
T
4
T
3
T
2
T
1
Рис. 3.9. Распределение концентраций НН в области базы p-n перехода по координате
и во времени при воздействии импульса прямого тока (T
1
=0,001; T
2
=0,01; T
3
=0,05;
T
4
=0,17; T
5
=0,5)
Из выражения (3.28) следует оценка граничной концентрации
(
)
f
TP
1
при
условии 0=X
()
fff
TPTerfPTP
π
2
111
=
. (3.29)
Поскольку функция
f
Terf асимптотически стремится к единице при
f
T
, уравнение (3.29) выражает закон установления граничной
концентрации неосновных носителей во времени, а его приближенная
форма характеризует эту зависимость в области малых времен 5,0
f
T .
Зависимость (3.29) используется в
[1] для расчета характеристической
толщины
l, прилегающей к p-n переходу области базы, в которой
концентрация дырок превышает начальную,
()
fp
f
f
pf
TL
Terf
T
LTl
2
π
= . (3.30)
Из уравнения (3.30) следует, что при длительностях импульса
прямого тока, превышающих время жизни
p
τ , т.е. при
pf
t τ> толщина
области избыточной концентрации НН, обусловленной прямым током,
практически пропорциональна длительности импульса
(
)
fpf
TLTl = , при
32K>
f
T
. Соотношение
(
)
pf
LTl >
объясняется восполнением прямым
током заряда рекомбинирующих дырок. При этом пространственно-
временное распределение концентрации неравновесных дырок после
действия импульса прямого тока описывается приближенным выражением