Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 71 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

71
окружающей среды. Определить количественные значения коэффициентов
температурной чувствительности послеинжекционной ЭДС.
7. Построить нормированные
зависимости напряжения на p-n
переходе от времени для различных значений емкости перехода в условиях
действия большого напряжения обратного смещения. Определить
количественные значения коэффициента чувствительности напряжения на
переходе от ёмкости перехода.
8. Используя программу
Mathcad, построить графики
нормированных распределений концентраций неосновных неравновесных
носителей в базовой области полупроводникового диода по координате и
во времени при воздействии импульса прямого тока. Определить
минимальную длительность импульса прямого тока, при которой
достигается стационарное состояние.
3.6. Вопросы для тестирования
1. Нестационарные эффекты и состояния в
p-n переходах является
следствием:
1.1. Изменения температуры окружающей среды;
1.2. Нестабильности напряжения питания;
1.3. Обработки информационных сигналов в цифровых устройствах;
1.4. Несовершенства параметров структуры
p-n переходов;
1.5. Несовершенства топологических характеристик
p-n переходов;
1.6. Отклонений от нормы параметров технологических процессов.
2. Переключение полупроводникового диода из режима
стационарного прямого тока в режим обратного смещения генератором
напряжения сопровождается:
2.1. Равномерным распределением концентрации неосновных
носителей в базовой области
p-n перехода по координате;
2.2. Формированием постоянного градиента концентрации
неосновных носителей на границе
p-n перехода;
2.3. Установлением нулевого значения концентрации неравновесных
носителей на границе
p-n перехода;
2.4. Линейно нарастающим распределением концентрации
неосновных носителей в базовой области
p-n перехода;
2.5. Мгновенной рекомбинацией неосновных носителей в базовой
области
p-n перехода.
3. Включение сопротивления во внешнюю цепь замыкания тока
p-n
перехода сопровождается:
3.1. Увеличением градиента концентрации
неосновных носителей
на границе
p-n перехода;

Страницы