Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 85 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

85
На рис. 4.4
представлены зависимости
вероятностей взаимо-
действия фотона с
кремнием по законам
фотоэффекта и компто-
новского рассеяния от
энергии. При энергиях
фотона кэВ40
=
E
эти
вероятности равны, а при
кэВ100
=
E
фотоэффект
отсутствует. Коэффициент
поглощения для различных
диапазонов энергетического
спектра учитывает в
соответствии с формулой
(4.10) вклад каждого
механизма, т. е. является
интегральной оценкой
интенсивности процессов
передачи энергии излучения
твердому телу. Поскольку
величина коэффициента
поглощения обратно
пропорциональна длине
пробега фотона, т.е.
расстоянию, на котором
интенсивность излучения уменьшается в
718,2=e раза, ее значение
характеризует равномерность распределения поглощенной энергии
излучения по координате. Применительно к задачам исследования
нестационарных фотоэлектрических процессов в полупроводниках
коэффициент поглощения характеризует равномерность ионизации
исследуемых областей полупроводниковых микроструктур в конкретных
условиях. Количественное значение его должно учитываться при
постановке краевых задач, в частности, при задании граничных и
начальных условий.
Количественный и качественный анализ зависимости коэффициента
поглощения от энергии фотона позволяет объяснить различия в постановке
и соответственно решениях краевых задач для различных участков спектра
воздействующего фотонного излучения с единых позиций как следствие
перераспределения вкладов фотоэффекта и комптоновского рассеяния в
Зависимости коэффициента поглощения и длины
пробега фотона от энергии для кремния
E
r
, МэВ α, м
-1
l·10
2
, м
0,01 7760 0,013
0,02 970 0,1
0,03 300 0,33
0,05 90 1,11
0,1 39 2,53
0,6 19 5,29
1,0 15 6,76
2,0 10 9,52
10,0 6,0 17,4
0 20 40 60 80 100 120 E, кэВ
P
1
0,5
1 2
Рис. 4.4. Зависимости вероятностей взаимо-
действия фотона с кремнием по законам:
1 – фотоэффекта, 2 – комптоновского рассеяния

Страницы