ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
86
эффект поглощения энергии излучения. Приведенные данные показывают,
что максимальное поглощение происходит при значениях энергии фотона
кэВ31
−=
E
, когда фотоэффект является основным механизмом
поглощения. При достижении значений кэВ100
=
E
комптоновское
рассеяние является единственным эффектом поглощения энергии
излучения. При этом коэффициент поглощения уменьшается более чем на
два порядка, а длина пробега фотона возрастает во столько же раз.
Указанные особенности отражаются, например, в краевых задачах
релаксации электронных систем к состоянию равновесия после действия
импульсов ионизирующего излучения одинаковой длительности и
интенсивности.
4.3. Контрольные задания
1. Факторы, определяющие электропроводность полупроводников.
2. Факторы, определяющие температурную зависимость
электропроводности.
3. Влияние ширины запрещенной зоны на электропроводность
беспримесных полупроводников.
4. Влияние энергии активации примесей на электропроводность
полупроводников.
5. Физический смысл и формальное определение подвижности
носителей зарядов.
6. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в
полупроводниках.
7. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в
полупроводниках.
8. Формальное определение электропроводности полупроводников.
9. Факторы, определяющие температурную зависимость
подвижности носителей в полупроводниках.
10. Обобщенная формальная модель электропроводности
полупроводника.
11. Механизм электропроводности в области относительно низких
температур.
12. Температурная зависимость электропроводности в области
средних температур.
13. Механизм и условие увеличения собственной проводимости в
области высоких температур.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 84
- 85
- 86
- 87
- 88
- …
- следующая ›
- последняя »
