ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
87
14. Взаимосвязи параметров зонной структуры с
характеристическими параметрами температурной зависимости
электропроводности полупроводников.
15. Физический смысл и формальное определение понятия
“коэффициент поглощения”.
16. Закон Бугера-Ламберта.
17. Основные механизмы взаимодействия квантовых излучений с
веществом.
18. Эффект рассеяния энергии фотона на свободных носителях
заряда.
19. Механизм фундаментального (собственного) поглощения
излучений оптического диапазона в полупроводниках.
20. Частотная зависимость коэффициента фундаментального
поглощения в полупроводниках с прямыми переходами.
21. Граничная частота и длина волны собственного поглощения для
прямого перехода в полупроводниках.
22. Механизм и характеристики примесного поглощения в
полупроводниках.
23. Сущность эффекта Оже.
24. Механизм и характеристики комптоновского рассеяния
электронов.
25. Пространственно-угловое распределение комптоновских
электронов.
26. Спектральная зависимость толщины слоя поглощения квантовых
излучений в полупроводниках.
27. Спектрально-энергетические зависимости вероятностей
взаимодействия фотонов с кремнием по законам фотоэффекта и
комптоновского рассеяния.
4.4. Задачи и упражнения
1. Рассчитать и построить температурную зависимость
()
Tn
концентрации свободных носителей для заданных значений
d
N и
d
E∆ в
заданном интервале температур.
2. Рассчитать и построить зависимость
()
d
En ∆ для заданных
значений
d
N и
T
.
3. Определить соотношение концентрации электронов собственного
и примесного полупроводников для различных значений
d
N ,
d
E∆ и
T
.
Определить факторы, оказывающие наибольшее влияние на это состояние.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 85
- 86
- 87
- 88
- 89
- …
- следующая ›
- последняя »
