Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 87 стр.

UptoLike

87
14. Взаимосвязи параметров зонной структуры с
характеристическими параметрами температурной зависимости
электропроводности полупроводников.
15. Физический смысл и формальное определение понятия
коэффициент поглощения”.
16. Закон Бугера-Ламберта.
17. Основные механизмы взаимодействия квантовых излучений с
веществом.
18. Эффект рассеяния энергии фотона на свободных носителях
заряда.
19. Механизм фундаментального (собственного) поглощения
излучений оптического диапазона в полупроводниках.
20. Частотная зависимость коэффициента фундаментального
поглощения в полупроводниках с прямыми переходами.
21. Граничная частота и длина волны собственного поглощения для
прямого перехода в полупроводниках.
22. Механизм и характеристики примесного поглощения в
полупроводниках.
23. Сущность эффекта Оже.
24. Механизм и характеристики комптоновского рассеяния
электронов.
25. Пространственно-угловое распределение комптоновских
электронов.
26. Спектральная зависимость толщины слоя поглощения квантовых
излучений в полупроводниках.
27. Спектрально-энергетические зависимости вероятностей
взаимодействия фотонов с кремнием по законам фотоэффекта и
комптоновского рассеяния.
4.4. Задачи и упражнения
1. Рассчитать и построить температурную зависимость
()
Tn
концентрации свободных носителей для заданных значений
d
N и
d
E в
заданном интервале температур.
2. Рассчитать и построить зависимость
()
d
En для заданных
значений
d
N и
T
.
3. Определить соотношение концентрации электронов собственного
и примесного полупроводников для различных значений
d
N ,
d
E и
T
.
Определить факторы, оказывающие наибольшее влияние на это состояние.