Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 89 стр.

UptoLike

89
15. Ширина запрещенной зоны и концентрация донорных примесей
одного образца больше, чем у другого. Построить графики температурных
зависимостей электропроводности образцов и установить качественные
отличия этих зависимостей.
16. Ширина запрещенной зоны и энергия активации примесей
одного образца больше, а концентрация донорных примесей меньше, чем у
другого. Найти качественные отличия температурных зависимостей
электропроводности образцов.
17. Ширина запрещенной зоны и концентрация примесей одного
образца больше, а энергия активации меньше, чем у другого. Найти
качественные отличия температурных зависимостей электропроводности
образцов.
18. Энергия активации и концентрация примесей одного образца
больше, а ширина запрещенной зоны меньше, чем у другого. Определить
качественные отличия температурных зависимостей электропроводности
образцов.
19. Энергия активации и концентрация примесей одного образца
меньше, а ширина запрещенной зоны больше, чем у другого. Установить
качественные отличия температурных зависимостей электропроводности
образцов.
20. Энергия активации и концентрация примесей одного образца
больше, а ширина запрещенной зоны и подвижность носителей заряда
меньше, чем у другого. Представить графическую интерпретацию
указанных особенностей в виде температурных зависимостей
электропроводности.
21. Энергия активации и подвижность носителей заряда одного
образца больше, а концентрация носителей и ширина запрещенной зоны
меньше, чем у другого. Отобразить указанные особенности на графиках
температурных зависимостей электропроводности образцов.
4.5. Вопросы для тестирования
1. Концентрация электронов в зоне проводимости собственного
полупроводника:
1.1. Возрастает по мере увеличения концентрации примесей;
1.2. Уменьшается с увеличением температуры и ширины
запрещенной зоны;
1.3. Возрастает по законутрех вторыхпри увеличении
температуры;
1.4. Не зависит от температуры;
1.5. Резко возрастает при увеличении абсолютной температуры.