Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 91 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

91
5.1. Рассеянием носителей на ионизированных примесях в области
высоких температур;
5.2. Рассеянием носителей на тепловых колебаниях в области низких
температур;
5.3. Рассеянием носителей на тепловых колебаниях решетки и на
ионизированных примесях высоких температур;
5.4. Рассеянием носителей на тепловых колебаниях решетки и на
ионизированных примесях низких температур;
5.5. Рассеянием носителей на ионизированных примесях при низких
температурах и тепловых колебаниях решетки при высоких температурах.
6. Электропроводность собственного полупроводника определяется:
6.1. Концентрацией электронов в зоне проводимости;
6.2. Шириной запрещенной зоны;
6.3. Температурной зависимостью подвижности носителей;
6.4. Концентрацией дырок и подвижностями электронов и дырок;
6.5. Эффективной плотностью состояний электронов в зоне
проводимости;
6.6. Произведением эффективных плотностей состояний для
электронов и дырок.
7. Электропроводность примесного полупроводника определяется:
7.1. Концентрацией примесей;
7.2. Энергией активации примесей;
7.3. Энергией активацией и шириной запрещенной зоны;
7.4. Концентрацией и энергией активации примесей и шириной
запрещенной зоны;
7.5. Температурой, концентрацией примесей и шириной
запрещенной зоны;
7.6. Суммой собственной и примесной составляющей
электропроводности.
8. Электропроводность примесного полупроводника при низких
температурах, когда
d
EkT ∆<< , обусловлена:
8.1. Энергией активации примесей;
8.2. Концентрацией примесей;
8.3. Шириной запрещенной зоны;
8.4. Подвижностью носителей и концентрацией примесей;
8.5. Энергией активации и концентрацией примесей;
8.6. Шириной запрещенной зоны, энергией активации и
концентрацией примесей.
9. Электропроводность примесного полупроводника при высоких
температурах, когда
d
EkT ∆≥ , обусловлена:

Страницы