Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 92 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

92
9.1. Энергией активации примесей;
9.2. Шириной запрещенной зоны;
9.3. Подвижностью электронов и энергией активации примесей;
9.4. Концентрацией и энергией активации примесей;
9.5. Подвижностью носителей и шириной запрещенной зоны.
10. Коэффициент фундаментального поглощения излучений
оптического диапазона:
10.1. Возрастает по мере увеличения длины волны фотонов при
прямых переходах;
10.2. Возрастает по мере увеличения энергии фотонов;
10.3. Возрастает при увеличении ширины запрещенной зоны;
10.4. Возрастает при увеличении эффективной массы дырок;
10.5. Возрастает с увеличением частоты воздействующих излучений.

Страницы