Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 94 стр.

UptoLike

94
коэффициентом диффузии D и поверхностной рекомбинации со скоростью
S. Из (5.3) и (5.4) следует уравнение
() ()
SA
L
Sg
L
Lg
L
AD
α
τ
=
α
α
1
0
1
0
2222
2
,
откуда
()
))(1(
0
22
2
SLDL
SL
gA
+α
τ+α
= . (5.5)
Решение (5.3) с учетом (5.2) и (5.5) принимает вид
()
()
()
()
,expexp
1
expexp
1
1
2
22
2
22
τ
+
τ+α
α
=
=
ατ
+
τ+α
α
αη
=
d
x
L
x
SLD
SL
L
Qg
x
L
x
SLD
SL
L
RQ
xp
(5.6)
где
α=
1d - глубина проникновения излучения в полупроводник.
Уравнение (5.6) получено при выполнении условий
L
d >> , dd
=α>>1.
Рассмотрим случай воздействия относительно коротковолновых
излучений, для которых выполняется условие
dL
=α>>1
. Тогда 1>>α
L
,
а уравнение (5.6) с учетом соотношения
S
D >>α преобразуется к виду
()
()
+
α
α
τ
=
d
x
L
x
SLD
D
L
g
xp expexp
0
22
. (5.7)
Стационарное распределение концентраций неравновесных носителей в
соответствии с (5.7) представлено на рис. 5.1.
p
(x)/p(0)
0
0
5 10 15
x/L
1
2
Рис. 5.1. Нормированное стационарное распределение концентраций неравновесных
носителей по координате (D=4
10
-3
м
2
с
-1
, S=20 мс
-1
, α=10
6
м, L=110
-5
м, τ=210
-7
с)