Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 95 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

95
В тонком приповерхностном слое при
d
x
′
≤
закон изменения
()
xp
существенно отличается от экспоненциального. Начиная со значений
d
x
′
>
влиянием второго слагаемого в (5.2) можно пренебречь, что
позволяет представить (5.7) в виде
()
()
−
+α
=
L
x
SLD
g
xp exp
0
)( . (5.8)
Точность оценки (5.8) возрастает по мере увеличения степени неравенства
1>>α
L
.
В зависимости от соотношений d и L найденные распределения в
различной степени влияют на среднюю концентрацию неравновесных
носителей
)(
x
p
и, следовательно, на чувствительность фоторезистора к
воздействующему излучению. Определим среднюю концентрацию
)(
x
p
в
виде
()
∫
=
d
ddxxpxp
0
)( .
Расчет с использованием выражения (5.7) дает
()
()
()
()
()
()
()
()
()
.
00
1
0
1
0
)(
22
τ+α
τ
=
+α
≅
≅−
α
τ
−−
+α
=
′
−−
SLd
Lg
SLDd
Lg
e
dL
g
e
dSLD
Lg
xp
ddLd
(5.9)
Учитывая формулы (4.18), (4.20), (5.9), определим коэффициент
чувствительности фоторезистора в случае неравномерной генерации
носителей в приповерхностном слое
()
()
()
()
()
()
τ+
τ+
µ
−λη=
+
+
µ
−λη=
SL
Lb
R
hcl
Ue
SLD
Lb
R
hcl
Ue
F
p
p
p
p
p
1
1
1
1
22
. (5.10)
Зависимость (5.10) учитывает влияние электрофизических
характеристик полупроводника
(
)
bDL
p
,,,, τ
µ
, коэффициента отражения
R, скорости поверхностной рекомбинации S, спектральных характеристик
излучения
()
ηλ,, длины
p
l фоторезистора и напряжения смещения U. Для
расчета чувствительности
p
F потребовалось определение стационарного
распределения концентраций неравновесных носителей )(
x
p
(5.7), (5.8).
Такое распределение устанавливается по окончании нестационарного
процесса перехода от начального состояния, когда через фоторезистор
протекает темновой ток, к состоянию динамического равновесия при
постоянном облучении. Характеристики переходного процесса –
длительность, закон изменения распределения неравновесных носителей

Страницы