Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 97 стр.

UptoLike

97
()
() ()
==
α
=+
AdpdSp
D
L
B
S
g
L
d
Bsh
L
d
Ach
,
0
,
находим значения постоянных
()
L
d
sh
L
S
L
d
ch
S
g
AA
L
S
B
τ
+
α
=
τ
=
10
,
и закон распределения концентрации НН по координате
()
()
L
d
Ssh
L
d
Lch
L
xd
Ssh
L
xd
Lch
S
g
xp
τ+
τ+
α
=
0
. (5.13)
На рис. 5.2. представлена построенная по (5.13) нормированная
характеристика
()
()
()
τ+
τ+
==
L
d
Ssh
L
d
Lch
L
xd
Ssh
L
xd
Lch
p
xp
xH
p
0
при значениях параметров D=410
-3
м
2
с
-1
, τ = 410
-7
с, L = 10
-5
м, d=10
-5
м,
S=20 мс
-1
, τ⋅S=810
-6
м,
α=10
6
м
-1
, S⋅α=210
7
м
-1
.
Из рис. 5.2. следует, что в
условиях сильного
поглощения при толщине
фоторезистора, равной
диффузионной длине дырок
L
d = , стационарное
распределение НН по
координате практически
линейно и существенно
отлично от нуля на тыловой
поверхности.
Расчет средней
концентрации НН по (5.13)
приводит к оценке
0
x
10
-6
, м
0
2 4
6
8
0.5
1
p(0)
p(x)
Рис. 5.2. Нормированное распределение
концентраций неравновесных носителей по
координате при
d=L