Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 98 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

98
()
()
∫
τ+
−τ+
α
==
d
L
d
Ssh
L
d
Lch
L
d
ch
L
d
ch
L
d
shS
L
d
Lsh
d
L
S
g
ddxxpp
0
22
0
. (5.14)
Близкая к линейной, зависимость )(
x
p
(5.13) позволяет в ряде случаев
использовать приближенную оценку
() ()()
20 dppp += . (5.15)
При использовании приведенных выше значений параметров расчет по
(5.14) дает значение
()
α= Sgp 066,0
, а оценка по (5.15) приводит к
результату
()
α= Sgp 071,0. Различие приведенных оценок характеризует
степень нелинейности зависимости
()
xp
при
L
d ≈ .
Расчет чувствительности фоторезистора с учетом средней
концентрации (5.14) приводит к результату
()( )
.
11
22
2
L
d
Ssh
L
d
Lch
L
d
ch
L
d
ch
L
d
shS
L
d
Lsh
hcS
LRbe
l
U
F
p
p
p
τ+
−τ+
⋅
−λη+µ
= (5.16)
Сопоставление чувствительностей фоторезисторов с различными
толщинами
L
d >> (5.10) и
L
d ≈ (5.16) показывает, что при прочих
равных условиях чувствительность возрастает по мере уменьшения
толщины образца. Это объясняется увеличением средней концентрации
p
∆ НН при
L
d → . Такая тенденция сохраняется и для сверхтонких
фоторезисторов, когда
L
d < или
L
d << . В этих условиях возможно
использование аппроксимаций
1, ≅≅
L
d
ch
L
d
L
d
sh , что приводит к
зависимости
()
()
()
τ
−
α
=
τ+
τ+
−
α
≅
L
x
sh
L
S
L
x
ch
S
g
L
x
sh
L
d
SL
Sd
L
x
ch
S
g
xp
00
. (5.17)
Из уравнения (5.17) следует, что в сверхтонких образцах, когда
α=
′
→ 1dd , происходит практически равномерная генерация носителей,
т.е.
() () ()
α=≅ Sgdpp 00. В этих условиях средняя концентрация НН
p
(5.14) совпадает с граничной
() ()
α
=
τ+
τ+
α
=
S
g
LSdL
LSdd
d
L
S
g
p
2
00
2
,
а чувствительность (5.16) достигает максимального значения

Страницы