Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 100 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

100
объемной рекомбинации, т.е. существует состояние динамического
равновесия. Появление дополнительных источников или поглотителей НН
отражается в (5.19) введением соответствующих слагаемых в правой части,
учитывающих интенсивность соответствующих механизмов генерации и
рекомбинации НН.
Рассматриваемые процессы воздействия импульсных излучений
оптического диапазона на полупроводниковые фоторезисторы
характеризуются скоростью генерации
g(x) НН в приповерхностном слое в
соответствии с зависимостью
() () ( )
xgxg α−= exp0
.
Поэтому уравнение (5.19) принимает вид
() () ()
()
x
eg
txp
x
txp
D
t
txp
α−
+
τ
−
∂
∂
=
∂
∂
0
,,,
2
2
. (5.20)
Краевая задача для нестационарных процессов в фоторезисторах
может быть поставлена и решена на основе формальной аналогии
температурных и диффузионных процессов в полупроводниках. Известные
методы и результаты решения краевых задач в теории теплопроводности
твердых тел [6] могут быть распространены на фотоэлектрические
процессы в полупроводниках при соблюдении основных положений
теории подобия [11].
В теории теплопроводности полубесконечного тонкого стержня с
теплоизоляцией боковой поверхности известна краевая задача: начальная
температура стержня
0
0
=u
, в начальный момент времени конец стержня
принимает постоянную температуру
0
uu
c
> , внутри стержня действует
источник тепла с максимальной мощностью
0
W
и экспоненциальным
распределением тепловой мощности по координате
()
kxWW −= exp
0
,
где
k – некоторая тепловая постоянная. Полубесконечное приближение
позволяет учитывать только одно граничное условие, полагая равным
нулю градиент температуры на бесконечном удалении от начала стержня.
С учетом изложенного краевая задача принимает вид
() ()
ρ
,,
0
2
2
c
eW
x
txu
a
t
txu
kx−
+
∂
∂
=
∂
∂
, ∞<<>
x
t
0,0 , (5.21)
() () ()
c
utuxtuxu ==∂∞∂= ,0,0,,00, , (5.22)
где
ρλ ca = - коэффициент температуропроводности, м
2
⋅с
–1
; λ -
коэффициент теплопроводности, Вт⋅м
–1
⋅К
–1
;
с – удельная теплоемкость,

Страницы