Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 99 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

99
()( )
hcS
dRbe
l
U
F
p
p
p
−+µ
=
1λη1
2
. (5.18)
Результаты исследований стационарных распределений НН в
фоторезисторах на основе собственных полупроводников при воздействии
излучений оптического диапазона позволяют определить взаимосвязи
между конструктивными и электрофизическими характеристиками
резисторных фотоприемников в стационарном режиме. Однако
оптимизация параметров физико-топологической модели должна также
обеспечивать и заданное быстродействие фоторезистора. Его можно
характеризовать суммарным временем смены состояний при воздействии
импульсного облучения. Это объясняется изменениями концентраций НН
по координате и во времени, определяющими амплитудно-временные
характеристики переходных токов и напряжений на фоторезисторе.
Установление основных закономерностей преобразования параметров
импульсных излучений оптического диапазона в параметры электрических
сигналов в цепях фотоприемников, оптоэлектронных преобразователей,
элементах и устройствах интегральной оптики и т.п. является основной
задачей функциональной электроники. Решение ее предусматривает
разработку математических моделей, адекватно отражающих влияние
воздействующих факторов и параметров физико-топологических моделей
фотоприемников.
Пространственно-временное распределение неосновных носителей в
исследуемой области полупроводника независимо от физической природы
внешних факторов отражается уравнением
() () ()
τ
−
∂
∂
=
∂
∂
txp
x
txp
D
t
txp ,,,
2
2
, (5.19)
где
()
txp , - концентрация неравновесных носителей заряда, генерируемых
под воздействием внешних факторов. Левая часть уравнения (5.19) –
скорость изменения концентрации неосновных носителей в произвольной
точке исследуемого пространства в любой момент времени в пределах
рассматриваемого временного интервала. Правая часть учитывает
механизмы изменения концентрации неосновных носителей во времени.
Следовательно, уравнение (5.19) отражает зависимость мгновенной
скорости изменения концентрации неосновных носителей для
произвольной точки исследуемого пространства от интенсивности
процессов диффузии и рекомбинации. Рассмотренный выше частный
случай
()
0, =∂∂ ttxp соответствует стационарному режиму, когда скорость
увеличения концентрации вследствие диффузионного переноса
неосновных носителей для каждой точке пространства равна скорости

Страницы