ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
90
2. Концентрация электронов в зоне проводимости дырочного
полупроводника:
2.1. Возрастает при увеличении концентрации акцепторных
примесей;
2.2. Уменьшается при увеличении концентрации акцепторных
примесей;
2.3. Уменьшается при увеличении температуры;
2.4. Возрастает при увеличении ширины запрещенной зоны;
2.5. Возрастает при увеличении температуры и ширины запрещенной
зоны;
2.6. Возрастает при увеличении энергии активации акцепторных
примесей;
2.7. Равна нулю при равенстве концентрации акцепторных примесей
и электронов в собственном полупроводнике.
3. Концентрация дырок в валентной зоне электронного
полупроводника:
3.1. Равна нулю;
3.2. Равна концентрации акцепторных примесей;
3.3. Равна концентрации электронов в собственном полупроводнике;
3.4. Определяется температурой и энергией активации донорных
примесей;
3.5. Определяется температурой и концентрацией донорных
примесей;
3.6. Зависит от концентрации донорных примесей и температуры.
4. Концентрация электронов в зоне проводимости электронного
полупроводника:
4.1. Равна концентрации донорных примесей;
4.2. Больше концентрации донорных примесей при низких
температурах;
4.3. Меньше концентрации донорных примесей при низких
температурах;
4.4. Определяется шириной запрещенной зоны;
4.5. Зависит только от энергии активации примесей и температуры;
4.6. Зависит только от концентрации донорных примесей и энергии
активации;
4.7. Зависит только от температуры и концентрации донорных
примесей;
4.8. Зависит от концентрации донорных примесей, температуры
и энергии активации примесей.
5. Температурная зависимость подвижности носителей заряда
обусловлена:
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 88
- 89
- 90
- 91
- 92
- …
- следующая ›
- последняя »