Получение и исследования наноструктур. Вальднер В.О - 83 стр.

                              83




            .
Рис.30. Схема для измерения вольтамперных характеристик фо-
                         тоэлемента
      Уравнение ВАХ справедливо и при освещении фотоэлемен-
та светом произвольного спектрального состава, изменяется лишь
значение фототока Iph. Максимальная мощность, снимаемая с 1
см2, равна P = Iph*U = x*Iкз*Uхх , где x - коэффициент формы
или коэффициент заполнения вольтамперной характеристики, Iкз
- ток короткого замыкания, Uхх - напряжение холостого хода.
    Работа 8. ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССА ОБРАБОТКИ
  НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЁНОК И ПОВЕРХНОСТИ В
УСЛОВИЯХ СВЧ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ
     Низкотемпературная плазма широко используется в новых
технологических процессах, таких как: травление, очистка поверх-
ности, осаждение тонких пленок, ионная имплантация, поверхно-
стная модификация полимеров и др. Современные требования, на-
кладываемые на источники плазмы, заключаются в следующем:
- большой диаметр плазмы 120 мм,
- высокая однородность плазмы 1-2 %,
- высокая концентрация ионов - 1011-1013 см -3.
     На сегодняшний день наиболее полно этим требованиям со-
ответствуют плазменные модули СВЧ. Их основным преимуще-
ством является тот факт, что практически всё СВЧ излучение по-
глощается с образованием плазмы.
                         Оборудование
В данной работе используется плазменный модуль СВЧ, который
состоит из:
 - модифицированной бытовой СВЧ печи,