Составители:
Необходимо усвоить перспективы развития микроэлектроники, ее пре-
дельные возможности в разработке ЭВМ новых поколений.
Вопросы для самопроверки
1. Какова роль микроэлектроники в научно-техническом прогрессе?
2. Приведите классификацию основных направлений микроэлектроники и охарактери-
зуйте их.
3. Перечислите основные ТП, использующиеся для изготовления полупроводниковых
ИС. Дайте характеристику каждому процессу.
4. В чем заключается метод эпитаксиального наращивания? Назовите основные мате-
риалы, используемые в полупроводниковых ИС для создания электронной и дырочной про-
водимости при эпитаксиальном наращивании.
5. Перечислите основные технологические операции, необходимые для изготовления
планарно-эпитаксиального транзистора в полупроводниковой ИС. Дайте характеристику ка-
ждой операции.
6. Какими достоинствами обладает метод полной имплантации? Дайте объяснение ме-
ханизма внедрения ионов в полупроводниковую заготовку.
7. Приведите классификацию методов, применяемых при изготовлении тонко- и тол-
стопленочных гибридных ИС.
8. Опишите методы изготовления толстопленочных ИС.
9. Охарактеризуйте процесс термического испарения в вакууме.
10. Перечислимте основные способы получения рисунка пленочной ИС и их сравни-
тельные характеристики.
11. Охарактеризуйте метод контактной (растворимой) маски. Опишите методы селек-
тивного травления, обратной фоторезистивной маски и металлической маски.
12. Охарактеризуйте возможные отклонения параметров пленочных элементов. Опре-
делите систематические групповые, систематические локальные и случайные погрешности.
13. Классифицируйте методы обеспечения контактных соединений при монтаже и
сборке ИС.
14. Перечислите и кратко охарактеризуйте методы сварки и пайки при изготовлении
ИС.
15. Опишите технологию герметизации ИС.
16. Приведите сравнительную характеристику различных технологических методов
изготовления гибридных ИС.
17. Приведите сравнительные характеристики основных материалов, используемых
для нанесения проводящих, резистивных и диэлектрических слоев.
18. Охарактеризуйте методы обеспечения надежности БИС в процессе их производст-
ва.
19. Перечислите виды контроля при изготовлении ИС.
20. Как осуществляется анализ отказавших и дефектных изделий микроэлектроники.
21. Перечислите основные виды дефектов ИС.
22. Сформулируйте определение следующих понятий: признак, вид, механизм и при-
чина отказа ИС.
23. Приведите технико-экономическое обоснование контрольно-испытательных опе-
раций.
9. ТЕХНОЛОГИЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ
[4], C. 54…135; [9], C. 3…29, 202…204
При изучении данной темы необходимо уяснить, что в настоящее время
производство ЭВМ на новой элементной базе – микросхем и микросборок, не-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
