Основы физики и химии полупроводников. Яценко О.Б - 15 стр.

UptoLike

15
отрицательность и ионизационный потенциал элементов пятой группы
больше, чем у металлов третьей группы. Следовательно, в соединениях
A
III
B
V
электронные облака будут сильнее стянуты к узлам решетки, где на-
ходятся атомы B
V
, в результате чего возникают эффективные заряды.
В табл. 3 приведены данные по свойствам полупроводниковых соеди-
нений А
III
B
V
. Соединения-аналоги сгруппированы по принципу постоянст-
ва анионо-образователя.
Таблица 3
Подвижность
носителей тока,
см
2
/В с
Соединение
Плотность,
г/см
3
Микротвер-
дость, кг/мм
2
Температура
плавления, ºС
Энергия атоми-
зации, кДж/моль
Ширина запре-
щенной зоны
(при 300 К), эв
элек-
тронов
дырок
AlP 2,42 2000 795 2,42
GaP 4,10 945 1467 712 2,25 300 150
InP 4,74 410 1055 665 1,28 6000 650
AlAs 3,6 520 1700 712 2,16
GaAs 5,4 750 1237 611 1,40 12000 400
InAs 5,68 330 943 544 0,46 33000 500
AlSb 4,15 400 1070 670 1,6 200 550
GaSb 5,65 448 712 561 0,79 4000 1420
InSb 5,78 220 536 506 0,18 100000 750
Прежде всего наблюдается закономерное изменение ширины запре-
щенной зоны в пределах соединений-аналогов. С увеличением атомной
массы элементов, входящих в состав А
III
B
V
, ширина запрещенной зоны
уменьшается (рис. 4). По мере передвижения сверху вниз по группе Пе-
риодической системы в рассматриваемых соединениях связи становят-
ся все более металлическими. Это не означает, что электроны перехо-
дят в собственность всей решетки, а происходит все большее размывание
электронных облаков ковалентных связей.
Внутри каждой группы соединений-аналогов наблюдается четкая ли-
нейная зависимость температуры плавления от суммарного порядкового
номера A
III
+ B
V
(рис. 5). С уменьшением суммарного порядкового номера,
т.е. с передвижением вверх внутри группы Периодической системы, наблю-
дается линейный рост температуры плавления A
III
B
V
. Интересно отметить,
что температуры плавления фосфидов являются прямым продолжением
температур плавления антимонидов.