ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
16
Поскольку ширина запрещенной зоны и температура плавления ли-
нейно зависят от суммарного порядкового номера, то между первыми двумя
характеристиками полупроводников должна существовать также линейная
зависимость. Таким образом, чем больше ширина запрещенной зоны, тем
выше температура плавления и наоборот.
В пределах соединений-гомологов вместе с температурой плавления и
шириной запрещенной зоны симбатно изменяется и энергия атомизации.
Это вполне понятно, так как энергия атомизации характеризует энерге-
тическую прочность кристаллов с преимущественной ковалентной и метал-
лической связью. В рамках тетраэдрических полупроводниковых фаз, к ко-
торым относятся полупроводниковые соединения A
III
B
V
, уменьшение ши-
рины запрещенной зоны, энергии атомизации и температуры плавления
сверху вниз по Периодической системе (относительно и A
III
, и B
V
) законо-
мерно. Только падение ширины запрещенной зоны с ростом суммарного
атомного номера (A
III
+ B
V
) происходит быстрее, чем уменьшение энергии
атомизации. Это объясняется усилением в этом ряду металлической состав-
ляющей связи.
Подвижности носителей тока в соединениях A
III
B
V
также, за исключе-
нием
GaSb, увеличивается в рядах соединений-гомологов с увеличением
суммарного атомного номера. Это связано с уменьшением ионного вклада в
химическую связь и увеличением ковалентного и металлического вкладов
в этих рядах. Ширина запрещенной зоны и подвижность носителей зависят
Рис. 4. Зависимость ширины
запрещенной зоны A
III
B
V
от суммар-
ного атомного номера A
III
+ B
V
Рис. 5. Зависимость температуры
плавления А
III
B
V
от суммарного
атомного номера A
III
+ B
V
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »
