Основы физики и химии полупроводников. Яценко О.Б - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

21
кой сильный окислитель, как кислород, вызывает окисление свинца до бо-
лее высоких степеней окисления, чем халькогены.
Германий с серой и селеном образует как моно-, так и дихалькогениды.
В системе олово – селен также фиксируются только два соединения:
моно- и диселенид олова. Наиболее сложно взаимодействие в системе оло-
во – сера: помимо моно- и
дисульфида олова образуются промежуточные
сульфиды Sn
2
S
3
и Sn
3
S
4
. Объясняется это большим сродством олова к сере.
По типу кристаллической решетки монохалькогениды элементов под-
группы германия делятся на две группы. Высокотемпературная модифика-
ция GeTe, халькогениды свинца и SnTe кристаллизуются в решетке пова-
ренной соли. Ко второй группе монохалькогенидов, кристаллизующихся в
орторомбической решетке, относятся GeS, GeSe, SnS и SnSe. Между ука-
занными двумя группами структур нет принципиального
отличия. По су-
ществу орторомбическая решетка представляет собой деформированную
решетку поваренной соли, в которой каждый атом имеет координационное
окружение в виде сильно искаженного октаэдра. Низкотемпературная по-
лиморфная форма теллурида германия имеет ромбоэдрическую структуру.
Температура фазового перехода зависит от состава и колеблется в преде-
лах 390 – 460 °С. Вероятно, SnTe также характеризуется низкотемператур-
ной ромбоэдрической
модификацией, наблюдающейся при температурах
намного ниже комнатной.
Полупроводниковые соединения с общей формулой А
2
В
3
делятся на
две группы – А
III
2
В
VI
3
и А
V
2
В
VI
3
. В первом случае это халькогениды метал-
лов третьей группы (например, Al
2
S
3
, Ga
2
Se
3
), а во втором – соединения
элементов пятой группы в степени окисления +3 (например, As
2
S
3
, Sb
2
Se
3
).
Соединения А
V
2
В
VI
3
характеризуются кристаллической структурой с
низкой симметрией, поэтому обнаруживают сильную анизотропию
свойств. Для их структур характерны слоистые и цепочечные решетки.
Внутри слоев и цепочек они связаны ковалентными связми, а между слоя-
ми – силами Ван-дер-Ваальса. Поэтому для этой группы соединений ха-
рактерны низкие температуры плавления.
Несколько меньше изучены соединения A
II
B
V
(например, Zn
3
P
2
,
Cd
3
As
2
, ZnP
2
, ZnAs
2
, ZnSb и т.д). На их фазовых диаграммах существует
несколько химических соединений.
Среди других полупроводниковых соединений можно упомянуть си-
лициды и карбиды, среди которых наибольшее значение имеет карбид
кремния SiC. Известно достаточно большое количество полупроводнико-

Страницы