Основы физики и химии полупроводников. Яценко О.Б - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

19
ваны системы с участием селена и теллура. В сульфидных и селенидных
системах часто наблюдается полное или частичное расслоение в жидком
состоянии. Объясняется это исключительно сильно выраженной разницей
в свойствах металлов подгруппы цинка, с одной стороны, и селеном и се-
рой – с другой.
Установлено, что во всех системах имеется только одно соединение.
В этом отношении системы A
II
– B
VI
похожи на системы А
III
– B
V
, где так-
же фиксируется эквиатомарное соединение A
III
B
V
.
В табл. 4 приведены физические и физико-химические свойства со-
единений A
II
B
VI
. В пределах каждой группы соединений-гомологов на-
блюдается закономерное изменение важнейших свойств в зависимости от
роста порядковых номеров компонентов в Периодической системе. При пе-
реходе от сульфидов к селенидам и теллуридам симбатно температуре
плавления уменьшаются энергия атомизации, теплота образования и ши-
рина запрещенной зоны A
II
B
VI
. Но уменьшение ширины запрещенной зо-
ны, как и в соединениях А
III
В
V
, происходит намного быстрее, чем энергии
атомизации и других свойств. Это особенно характерно для халькогени-
дов ртути: если сульфид имеет ширину запрещенной зоны 1,8 эВ, теллу-
рид по существу уже представляет собой полуметалл.
Таблица 4
Подвижность
носителей тока при
298 К,
см
2
/В ⋅с
Соединения
Плотность,
г/см
3
Микротвердость,
кг/мм
2
Температура
плавления, ºС
Энергия атомиза-
ции, кДж/моль
Ширина запре-
щенной зоны
(при 300 К), эв
элек-
тронов
дырок
ZnS 4,08 178 1830 611 3,67 140 5
ZnSe 5,26 135 1515 477 2,7 700 28
ZnTe 5,7 100 1295 456 2,12 1450 300
CdS 4,82 – 1750 532 2,4 350 –
CdSe 5,81 90 1258 423 1,88 600 50
CdTe 5,86 60 1098 402 1,51 1800 600
HgS 7,73 – 1450 393 1,8 250 –
HgSe 8,26 – 800 352 0,2 18500 –
HgTe 8,46 35 670 310 0,01 25000 100

Страницы