Основы полупроводниковой электроники. Яровой Г.П - 57 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СГАУ | Самара

Составители: 

Рубрика: 

113
хода. Тепловой пробой наблюдается у полупроводников с уз-
кой шириной запрещенной зоны (например, у германия), для
которых обратный ток I
S
достигает больших значений.
В отличие от тепловой ионизации, режимы, связанные
с ударной ионизацией или туннельным переходом электро-
нов, являются малоинерционными и определяются только ам-
плитудным значением напряжения на переходе. Явление теп-
лового пробоя в силу большей инерционности, как правило,
не используется на практике. Все рассмотренные типы пробо-
ев являются обратимыми, если величина средней рассеивае-
мой мощности в переходе не будет превышать допустимую.
114
6. Биполярные транзисторы
В транзисторах этого класса осуществляется биполярная
проводимость, откуда и берет свое происхождение название
"биполярный транзистор". Биполярные транзисторы разделя-
ются на две группы: транзисторы с диффузионным механиз-
мом переноса заряда и транзисторы с дрейфовым (полевым)
механизмом. Транзисторы первой группы стали промышлен-
но выпускаться в начале 50-х годов. Примерно через десять
лет появились более совершенные приборы с дрейфовым ме-
ханизмом переноса, которые до настоящего времени остаются
единственными приборами этого класса, способными рабо-
тать вплоть до сантиметрового диапазона волн.
6.1.Принцип действия биполярных транзисторов
Биполярный транзистор представляет собой три области
полупроводника, чередующиеся по знаку проводимости, как
показано на рис. 6.1.
Область транзистора между электронно-дырочными
переходами называют базой. Примыкающие к базе области
чаще всего делают неодинаковыми. Одну из областей
изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно
происходила инжекция носителей заряда в базу, а другую −
так, чтобы соответствующий p−n-переход наилучшим
образом осуществлял экстракцию (т.е. сбор)
инжектированных носителей из базы. Область транзистора, основным назначением которой яв-
ляется инжекция носителей в базу, называют эмиттером, а
соответствующий p−n-переход − эмиттерным.
Область транзистора, предназначенная для экстракции но-
сителей из базы, называют коллектором, соответствующий
p−n-пе-реход − коллекторным.

Страницы