ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
127
cc
n
VVVV
l
Cb
i
′
′
−−=
2
1
330
2
. (7.5)
Это выражение применимо только при условии, что
()
c
VVV +>
330
и канал не перекрыт. Отсечка тока до нуля при
этом невозможна, т.к. если ток прервется, то канал сразу от-
кроется. Таким образом, с ростом
c
V ток перестает увеличи-
ваться, т.е. должно наблюдаться его насыщение.
На рис. 7.5 представлены выходные характеристики МДП
транзистора со встроенным каналом. Ток насыщения можно
найти, если подставить выражение
330
VVV
c
−= :
()
2
330
2
2
VV
l
Cb
i
n
нас
−= . (7.6)
Рис. 7.5. Вольт-амперные характеристики тока между исто-
ком и стоком для МДП транзистора со встроенным каналом
Отсюда крутизна характеристики на участке насыщения
равна
()
.
330
2
VV
l
Cb
g
n
−= (7.7)
Поверхностные состояния на границе диэлектрик – полу-
проводник ведут себя таким образом: ухудшается глубина
модуляции, что, в свою очередь, ведет к ухудшению крутиз-
ны ВАХ.
128
7.3. Полевой транзистор с p−n-переходом
Недостатка, связанного с поверхностными состояниями,
лишены полевые транзисторы с p–n-переходом (см. рис. 7.6).
Инерционность полевых транзисторов этого типа опреде-
ляется временем перезарядки емкости затвора
n
C и временем
пролета носителей заряда через канал. Предельная рабочая
частота связана с постоянной времени затвора
n
RC=
3
τ :
n
RC
v
ππτ 2
1
2
1
3
== .
Рис. 7.6. К объяснению принципа действия канального тран-
зистора с управляющим p–n-переходом: а
−
смеще-
ние на стоке равно нулю; б – перекрытие канала при
увеличении смещения на стоке
Сопротивление R есть часть сопротивления канала, че-
рез которую происходит зарядка емкости
n
C . МДП-
транзисторы с изолированным затвором по сравнению с
транзистором с
p–n-переходом имеют то преимущество, что у них большая
величина входного сопротивления и есть возможность рабо-
тать при обеих полярностях входного напряжения.
n
RC
33
2
1
2
1
πτπ
ν
=
−
=
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 62
- 63
- 64
- 65
- 66
- …
- следующая ›
- последняя »
