Основы полупроводниковой электроники. Яровой Г.П - 65 стр.

UptoLike

129
Недостатком является влияние поверхностных состояний.
Однако неоспоримым достоинством полевых транзисторов
любого типа перед биполярными является то, что они рабо-
тают на основных носителях, концентрация которых в при-
месных полупроводниках в зависимости от температуры ме-
няется незначительно. Температура может влиять на ток
только через уменьшение подвижности носителей с ростом T
и благодаря тому, что часть электронов, захваченных на по-
верхностные уровни, может переходить в зону проводимости.
Однако эти изменения намного меньше, чем реакция на тем-
пературу концентрации неосновных носителей, на которых
основана работа биполярных транзисторов.
130
8. ПРИБОРЫ НА ЭФФЕКТАХ СИЛЬНОГО
ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ
__________________________________________
8.1. Туннельные диоды
Туннельные диоды изготавливают из сильно легирован-
ных полупроводников, находящихся в вырожденном состоя-
нии. Уровень Ферми в таких полупроводниках располагается
не в запрещенной зоне, а внутри зон: внутри зоны проводи-
мости для n-области и внутри валентной зоны для p-области.
Рис. 8.1. Энергетическая схема туннельного перехода
при различных напряжениях
На рис. 8.1, а показана энергетическая схема туннельного
перехода в равновесном состоянии. Нельзя не заметить, что
имеет место перекрытие зон: валентная зона p-области час-
тично перекрывается зоной проводимости n-области. Это де-
лает возможным туннельное просачивание электронов из p- в