Составители:
Рубрика:
однозарядными разноименными и полупроводник с одним типом де-
фектов, способных захватить (отдать) несколько электронов
1
.
Проблема расчета концентрации носителей сводится к определению
положения уровня Ферми в общем случае.
5.7.2.1 Концентрация зарядов на простых локалных центрах
Этот вопрос нужно рассмотреть прежде, чем, воспользовавшись
(5.7.5), определим положение уровня Ферми. Для этого нужно знать N
a
−
и N
d
+
.
Пусть
N
t
– концентрация простых центров, которые могут содер-
жать 1 электрон, либо не содержать. Их статвеса в этих зарядовых со-
стояниях обозначим g
1
и g
0
. Энергия электронов в этих состояниях Е
1
.
Вероятности того, что некоторый уровень будет заполнен или сво-
боден равны, соответственно,
fNN
t
=
1
и
)1(
0
fNN
t
−
=
,
где f – функция распределения Ферми (5.7.1).
С учетом статвесов отношение концентраций занятых/свободных
центров составит:
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−
=
kT
EF
g
g
N
N
1
0
1
0
1
exp
, (5.7.22)
а сумма, естественно,
t
NNN
=
+
01
. (5.7.23)
Отсюда получаем вероятности заполнения и освобождения :
)1(
f
)0(
f
1
1
1
01
)1(
exp1
−
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−
+==
kT
FE
g
g
N
N
f
t
и (5.7.24а)
1
1
0
10
)0(
exp1
−
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−
+==
kT
EF
g
g
N
N
f
t
. (5.7.24а)
1
Как, например, примесь Au в Ge или Si, см. рис. Рис. 5.6.10.
112
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 110
- 111
- 112
- 113
- 114
- …
- следующая ›
- последняя »
