Составители:
Рубрика:
Введем удобную величину:
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−=
kT
J
N
g
g
n
c
exp
1
0
1
, (5.7.25)
где – энергия переброса электрона с локального центра в с-
зону. В этих обозначениях запись
1
EEJ
c
−≡
(5.7.24а) существенно упрощается:
1
1
)1(
nn
n
N
N
f
t
+
==
,
1
10
)0(
nn
n
N
N
f
t
+
==
. (5.7.26)
В принципе, центр, захвативший электрон, может иметь и возбуж-
денные состояния с энергией в запрещенной зоне. Эту возможность
легко учесть соответствующим увеличением g
1
.
Пусть у занятого центра имеется k различных энергетическиз со-
стояний, каждое – с энергией
Е
k
и статвесом β
k
. Обозначим энергии
возбуждения состояний
1
EE
kk
−
≡
ε
. Естественно, ε
1
= 0. Тогда веро-
ятность заселения каждого из возможных состояний пропорциональна
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
ε
−β
kT
k
k
exp
и суммарный статвес g
1
теперь будет равен сумме:
∑
=
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
ε
−β=
...2,1
1
exp
k
k
k
kT
g
. (5.7.27)
Выражения (5.7.24а) ÷ (5.7.26) при этом остаются в силе.
5.7.2.2 Полупроводник с одним типом примеси
Энергетическая схема такого полупроводника представлена на рис.
5.6.9, а или б. Для определенности, рассмотрим случай донорной при-
меси. Для акцепторной все соображения останутся теми же и получится
тот же результат.
Простые доноры могут находиться в зарядовых состояниях 0 или
+1. Предположим также, что при наличии доноров концентрация элек-
тронов будет существенно больше, чем в собственном полупроводнике
и, соответственно, концентрация дырок пренебрежимо мала, см. закон
действующих масс
(5.7.19). Тогда уравнение электронейтральности кри-
сталла
(5.7.5) запишется в виде:
113
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 111
- 112
- 113
- 114
- 115
- …
- следующая ›
- последняя »
