Составители:
Рубрика:
При низких температурах ,
0
1
→n 14
1
>>nN
d
и тогда:
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
=
↓
kT
J
NN
g
g
n
cd
T
2
exp
2
1
1
0
. (5.7.32)
Концентрация экспоненциально зависит от обратной температуры. На
графике
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
4
3
ln nT
от
kT
1
получим прямую линию с наклоном
2
J
−
.
Воспользовавшись
(5.7.13), можно переписать соотношение (5.7.32):
2
1
1
0
2
exp
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
=
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
+
−
c
ddc
N
N
g
g
kT
EE
kT
F
.
Прологарифмировав его, получим положение уровня Ферми:
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+
+
=
↓
c
ddc
T
N
N
g
g
kT
EE
F
1
0
ln
22
. (5.7.33)
При нуле температуры он находится посередине между зоной и
уровнем доноров. При нагревании удаляется от зоны со скоростью,
вдвое меньшей (при
10
gg
=
), чем при высоких Т.
В широком температурном диапазоне получим сначала рост кон-
центрации носителей по экспоненциальному закону с наклоном, опре-
деляемом половиной интервала между уровнем донора и дном зоны
проводимости. Затем все доноры ионизуются и рост концентрации пре-
кратится до тех пор, пока не станет возможным межзонное возбужде-
ние, с энергией активации
2
g
EΔ
, см. рис. 5.6.3.
k
J
tg
2
)( −=α
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
4
3
ln nT
k
E
tg
g
2
)(
Δ
−=α
T
1
Рис. 5.7.3 Температурная зави-
симость концентрации но-
сителей в полупроводнике с
одним типом примеси.
115
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 113
- 114
- 115
- 116
- 117
- …
- следующая ›
- последняя »
