Составители:
Рубрика:
а)
б)
Рис. 5.7.4.
Зависимость от обратной температуры а) – концентрации
электронов, б) – положения уровня Ферми.
Ge, легированный донорами V группы (E
c
– E
d
≈
0,01 эВ) и части-
чено компенсированный акцепторами III группы при разных сте-
пенях компенсации. Для всех кривых N
d
– N
a
= 10
16
см
-3
. N
a
= : 1
– 0, 2 – 10
14
см
-3
, 3 – 10
15
см
-3
, 4 – 10
16
см
-3
. В расчете принято
m*/m
0
= 0,25, g
0
/g
1
= 1/2.
На рис. 5.7.4 представлены расчетные температурные зависимости
концентрации носителей и положения уровня Ферми в Ge при разных
степенях компенсации.
118
