Составители:
Рубрика:
ные оси краевой дислокации (слева) и плоскости излома. Подробнее с
этим вопросом можно ознакомиться по учебникам (например, [
3]) и
специальным монографиям.
Эксперимент показывает, что наличие дефектов самым существен-
ным образом сказывается и на концентрациях носителей заряда, и на их
подвижности, и на эффективности генерации неравновесных носителей
при внешнем возбуждении (например, фотовозбуждении), и на времени
установления равновесия при изменении воздействия. Словом, на всех
параметрах электронного ансамбля. Поэтому введение дефектов – ос-
новной технологический прием, используемый в производстве полу-
проводниковых кристаллов с заданными свойствами. Точнее – введение
химических примесей, поскольку во-первых, их концентрацией проще
управлять, а во-вторых, шире возможности вариации свойств дефектов
за счет выбора нужных добавок. Процесс введения примесей называет-
ся
ЛЕГИРОВАНИЕМ, а сами примеси – ЛИГАНДАМИ.
При слишком большой концентрации, при которой атомы примеси
будут взаимодействовать друг с другом, они могут образовать собст-
венную,
ПРИМЕСНУЮ ЗОНУ, могут повлиять на структуру основного
вещества. Но мы ограничимся случаями достаточно малых концентра-
ций. Будем считать, что места расположения примесей достаточно да-
леки друг от друга для того, чтобы можно было считать основной объем
кристалла не деформированным и не возмущенным, а примеси – не
взаимодействующими.
Не вдаваясь в полное описание природы и энергетики дефектов, не
пытаясь как-то увязывать их реальную природу и свойства, мы будем
рассматривать только общий характер их взаимодействия с электрон-
ным ансамблем кристалла и влияния на его электропроводность. Не
будем останавливаться и на различиях между химическими примесями
и дефектами упаковки, а термин "примесь", которым будем пользовать-
ся далее в этом описании, может означать что угодно, любой точечный
дефект. При необходимости его можно и конкретизировать.
Искажения, которые привносятся примесью в картину идеального
кристалла, можно свести к трем основным факторам.
Во-первых, в результате внедрения инородного атома в его окрест-
ности возникают искажения в ходе потенциала, вызванные и деформа-
цией решетки, и различием собственных полей разных атомов. Разность
между реальным полем в окрестности дефекта и полем в идеальном
кристалле назовем дополнительным, возмущающим потенциалом. В
92
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 90
- 91
- 92
- 93
- 94
- …
- следующая ›
- последняя »
