ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
15
22
13. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства
полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учебное
пособие для студентов вузов. Изд. 2-е, перераб. и доп. М.: Высшая
школа, 1979. 367 с.
Условие (
±) перед этим выражением означает, что при
ϕ
s
>0
следует воспользоваться знаком (+), а при
ϕ
s
<0 – знаком (–).
Таким образом, емкость пространственного заряда
14. Клочков П.И., Потыкевич И.В. Полупроводниковая
электроника. Свойства материалов: Справочник. Киев: Наукова думка,
1975. 704 с.
)p/n,(FL2
)]1e)(p/n(e1[
d
dQ
C
ppsd
pp0s
s
s
n
T
s
T
s
ϕ
εε
ϕ
ϕ
ϕ
ϕ
ϕ
−+−
==
−
, (34)
15. Усаченко С.Т., Каченик
Т.К., Терехова М.В. Выполнение
электрических схем по ЕСКД. Справочник. М.: Изд–во стандартов,
1989, 325 с.
где
16. Емкостные методы контроля электрофизических свойств
полупроводниковых структур: Учебное пособие /А.Г. Захаров, Д.А.
Сеченов, Ю.И. Молчанов, Г.М. Набоков. Таганрог: Изд–во ТРТИ, 1983.
72 с.
2/1
T
s
pp
T
s
pps
)]1e(p/n)1e[()p/n,(F
T
s
T
s
−−+−+=
−
ϕ
ϕ
ϕ
ϕ
ϕ
ϕ
ϕ
ϕ
ϕ
.
17. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник
: Пер. с англ./
Под. ред. Г.В. Степенова. М.: Pадио и связь, 1982. 208 с.
2.5.2. Для получения зависимости между приложенным к МДП-
структуре напряжением
U и общей емкостью C необходимо также
знать зависимость между
ϕ
s
и U:
18. Захаров А.Г. Физические основы микроэлектроники: Учебное
пособие. Таганрог: Изд–во ТРТУ, 1999. 221с.
19. Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы
электроники. СПб.: Изд–во «Лань», 2001. 272 с.
U=U
D
+
ϕ
s
+U
ПЗ
. (35)
В (31) приняты следующие обозначения: U
D
– падение
напряжения на диэлектрике;
U
ПЗ
– напряжение плоских зон.
Приложения
Падение напряжения на диэлектрике определяется выражением
I. ВАРИАНТЫ ИНДИВИДУАЛЬНЫХ ЗАДАНИЙ
D
s
D
C
Q
AU =
I.1. Электронно
-дырочный переход
. (36)
Электронно-дырочный переход сформирован в кремнии таким
образом, что удельные сопротивления дырочной и электронной
областей составляют величины
ρ
pi
и
ρ
ni
соответственно.
С учетом разности работ выхода электрона из металла и
полупроводника
ϕ
МП
, а также при наличии поверхностных состояний
Q
ss
напряжение плоских зон определится как
Определить:
– величину контактной разности потенциалов при комнатной
температуре;
D
ss
МППЗ
C
Q
q
1
U −=
ϕ
. (37)
– рассчитать и построить энергетическую диаграмму p-n-перехода
в равновесном состоянии, а также при заданном значении
величины прямого напряжения
u
i
, В;
2.5.3. Максимальная толщина обедненного слоя в
приповерхностной области МДП-структуры в режиме сильной
инверсии определяется
– рассчитать и построить теоретическую вольт-амперную
характеристику (рассматривается движение всех носителей
заряда через p-n-переход);
– вычислить величину дифференциального сопротивления p-n-
перехода при
u
i
, B; T
i
, K.
