ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
16
qN
)n/Nln(4
iT0s
ϕεε
qN
2
W
vsin0s
m
ϕεε
== , (38)
где
N=N
a
или N
d
в зависимости от типа проводимости полупроводника:
ϕ
sinv
=2
ϕ
b
. (39)
Для МДП-транзисторов с изолированным затвором важной
величиной является напряжение включения или пороговое напряжение
U
пор
, при котором начинается сильная инверсия:
D
b0s
b
C
qN2
2
ϕεε
ϕ
++
ПЗпор
UU
=
. (40)
В выражениях (39), (40)
ϕ
b
=
ϕ
Т
ln(N/n
i
) – объемный потенциал.
Соответствующе
U
пор
значение дифференциальной емкости идеальной
МДП-структуры равно
msD
0D
W)/(d
εε
εε
+
21
4.4. Библиографический список и требования к нему
Оформление списка использованных источников должно
соответствовать требованиям действующих стандартов.
В списке должны быть указаны лишь источники, которые
действительно
были использованы в процессе выполнения ИЗ и на
которые в тексте пояснительной записки имеются ссылки.
Примером оформления может служить список использованных
источников, приведенный в данных методических указаниях.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Микроэлектроника: Учебное пособие для втузов. В 9-ти кн.
/Под ред. Л.А. Коледова. Кн.1. Физические основы функционирования
изделий микроэлектроники/
О.В. Митрофанов, Б.М. Симонов, Л.А.
Коледов. М.: Высшая школа, 1987 186 с.
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника.
Физические и технологические основы, надежность: Учебное пособие
для приборостроит. спец. вузов. 2–е изд., перераб. и доп. М.: Высшая
школа, 1986. 464 с.
min
C =
, (41)
3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное
пособие
для вузов. М.: Сов. радио, 1980. 424c.
4. Новиков В.В. Теоретические основы микроэлектроники. М.:
Высшая школа, 1972. 352c.
где
d – толщина диэлектрического слоя;
ε
D
– относительная
диэлектрическая проницаемость диэлектрика.
5. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твердотельная электроника:
Учебник для студентов вузов. М.: Высшая школа, 1986. 304с.
3. СОСТАВ ИНДИВИДУАЛЬНОГО ЗАДАНИЯ
6. Епифанов Г.И. Физика твердого тела: Учебное пособие для
втузов. Изд. 2–е, перераб. и доп. М.:
Высшая школа, 1977. 288с.
Индивидуальное задание составляется преподавателем и выдается
студентам в начале семестра.
7. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2–х кн. /Пер. с
англ. 2–е перераб. и доп. издание. М.: Мир, 1984. Кн.1 456с., Кн.2 456с.
Объектом ИЗ являются полупроводниковые структуры: металл-
диэлектрик-полупроводник, p-n-переход, контакт металл-
полупроводник. Таким образом, в ИЗ должны быть рассмотрены
физические процессы в полупроводниковой структуре и выполнен
расчет ее электрофизических характеристик.
8. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику
/Пер. с япон. М.: Мир, 1988. 320 с.
9. Технология СБИС: в 2–х кн. /Пер. с
англ.; Под ред. С. Зи. М.:
Мир, 1986. Кн. 1, 404 с. Кн. 2, 453 с.
10. Таруи Я. Основы технологии СБИС: /Пер. с япон. М.: Радио и
связь, 1985. 480 с.
Задание, как
правило, должно содержать:
– наименование темы ИЗ;
11. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника /Пер. с
исп. С.И. Баскакова; Под ред. В.А. Терехова. М.: Высшая школа, 1991.
351с.
– вид полупроводниковой структуры;
– исходные данные для выполнения расчетов электрофизических
характеристик;
12. Тилл У
., Лаксон Дж. Интегральные схемы: материалы,
приборы, изготовление /Пер. с англ. М.: Мир, 1985. 501 с.
– перечень решаемых при выполнении ИЗ вопросов.
