ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
20
активные и пассивные элементы (транзисторы, диоды, резисторы и
конденсаторы). Для изготовления полупроводниковых ИМС
используются такие технологические процессы, как окисление
полупроводника, диффузия, ионное внедрение примесей в
полупроводник, эпитаксиальное наращивание, вакуумное напыление и
др. Для получения микрогеометрии элементов наиболее широко
применяется метод фотолитографии, а также метод локальной
обработки материала остросфокусированными или каким
-либо
образом локализованными управляемыми электронными, ионными и
лазерными лучами. С помощью этих процессов как активные, так и
пассивные элементы изготавливаются в объеме или на поверхности
кристалла полупроводника. В качестве активных элементов в ИМС
используются биполярные (p-n-p и n-p-n) транзисторы, полевые
транзисторы с изоляцией затвора p-n-переходом или диэлектрическим
слоем, диоды на основе p-n-перехода или барьера Шоттки и другие
структуры. Резисторами в ИМС являются отдельные участки
полупроводника, имеющие соответствующую конфигурацию.
Конденсаторами служат p-n-переходы или структуры типа МДП.
Изоляция между элементами осуществляется либо p-n-переходом, либо
диэлектрическим слоем. Следует отметить, что диффузионные
резисторы и конденсаторы на основе p-n-переходов имеют узкий
диапазон исследуемых номиналов, низкую точность изготовления,
сильную температурную зависимость номиналов и являются
нелинейными элементами.
В целом полупроводниковые ИМС являются одним из основных
направлений развития микроэлектроники, так как они позволяют
создавать надежные, сравнительно дешевые и достаточно сложные в
функциональном отношении микроэлектронные устройства малых
размеров.
4.3. Заключение
Заключение является неотъемлемой структурной частью
пояснительной записки. Оно должно содержать краткие выводы по
результатам выполнения ИЗ и предложения по совершенствованию
методики расчета электрофизических характеристик
полупроводниковых структур.
17
Варианты заданий приведены в прил. I.
Кроме того, ИЗ может быть выполнено в виде реферата по
определенной проблеме физических процессов и явлений в
микроэлектронике. Примерные темы рефератов приведены в прил. II.
Состав и объем ИЗ определяются преподавателем в зависимости от
темы работы. Выполненное ИЗ оформляется в виде пояснительной
записки, которая должна содержать:
– титульный лист;
– содержание;
– введение;
– основную часть;
– заключение;
– список использованных источников.
Форма титульного листа приведена в прил. III. Некоторые данные
о свойствах германия, кремния и двуокиси кремния, необходимые для
проведения расчетов, приведены в
прил. IV.
4. УКАЗАНИЯ ПО СОСТАВЛЕНИЮ ПОЯСНИТЕЛЬНОЙ
ЗАПИСКИ
4.1. Введение
Одной из составных структурных частей пояснительной записки
ИЗ является введение. Введение должно содержать краткое
обсуждение основных исходных данных для выполнения ИЗ,
обоснование актуальности и необходимости его выполнения.
4.2. Основная часть
4.2.1. Основная часть пояснительной записки должна содержать:
– описание физических процессов в
заданной полупроводниковой
структуре;
– расчет необходимых электрофизических характеристик
полупроводниковой структуры;
– краткое описание областей применения заданной
полупроводниковой структуры в микроэлектронике и методов ее
формирования.
4.2.2. На электрофизических свойствах различных контактов
основаны принципы действия подавляющего большинства ИМС.
