ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
3
2.3. Элементы зонной теории твердых тел (4 часа)
Энергетические уровни электронов в изолированном атоме. Обобществле-ние
электронов в кристалле. Модель периодического потенциального поля в
кристалле. Приближение сильносвязанных электронов. Модель образования
энергетических зон по Фейману.
Функция Блоха. Приближение слабосвязанных электронов. Зоны Брил- люэна.
Модель образования энергетических зон по Займану
.
Заполнение зон электронами и деление твердых тел на металлы, диэлект-
рики и полупроводники. Понятие о дырках.
[1, c.19-26]; [2, c.35-44]; [3, c.57-80]; [4, c.5-49]; [5, c.26-43]; [8, c.118-158].
2.4. Энергетический спектр носителей заряда в
реальных полупроводниках (3 часа)
Классификация дефектов в кристаллах. Дефекты по Френкелю и Шоттки.
Примеси замещения и внедрения. Геометрический и электрохимический факторы
образования растворов внедрения и замещения.
Донорные и акцепторные уровни
в полупроводниках. Понятие о глубоких энергетических уровнях в
полупроводниках. Маркировка полупроводниковых материалов.
[3, c.25-46]; [4, c.32-49].
2.5. Статистика носителей заряда в металлах
и полупроводниках (3 часа)
Статистические закономерности в коллективах частиц. Невырожденные и
вырожденные коллективы. Распределения Максвелла-Больцмана, Бозе-Эйн-
штейна, Ферми-Дирака. Функция плотности состояний. Статистика электро- нов в
металлах. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Положение уровня
Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных и примесных
полупроводниках. Закон действующих масс. Температурные за- висимости
уровней Ферми в полупроводниках.
[1, c.26-35]; [2, c.44-54]; [3, c.80-99]; [4, c.49-88]; [5, c.47-55]; [8, c. 159-176].
2.6. Кинетические явления в полупроводниках и металлах (4 часа)
Проводимость и подвижность носителей заряда. Дрейфовый ток. Меха- низмы
рассеяния свободных носителей
заряда. Зависимость подвижности от
температуры и концентрации носителей заряда. Диффузионный ток в
полупроводниках. Полный ток в полупроводнике. Соотношение Эйнштейна.
Равновесные и неравновесные носители заряда. Время жизни. Виды и
механизмы рекомбинации носителей заряда в полупроводниках.
Уравнение непрерывности. Диффузионная длина носителей заряда.
Электропроводность металлов. Электропроводность тонких металличес- ких
пленок.
