ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
5
таксиальных слоев. Методы эпитаксиального роста из парогазовой фазы.
Легирование и автолегирование при эпитаксии. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
Классификация методов легирования полупроводников: высокотемпера-
турная диффузия, ионная имплантация, радиационно-стимулированная диф-
фузия.
Физические основы процесса диффузии. Механизмы диффузии в идеаль- ных
и реальных кристаллах. Законы диффузии. Распределение примеси при диффузии.
Причины несоответствия реального распределения примесей простейшим
теоретическим моделям.
Физические основы метода ионного легирования. Механизм ионного
внедрения. Распределение концентрации примесей в ионно-легированных слоях.
Отжиг радиационных дефектов и активация примесей.
[2, c.234-256]; [5, c.139-241]; [6, c.93-183]; [7, c.149-262].
3. ЛИТЕРАТУРА
3.1. Основная литература
1. Микроэлектроника: Учеб. пособие для вузов. В 9 кн. / Под ред.
Л.А. Коледова.
Кн.1: Физические основы функционирования изделий микро-
электроники. О.В. Митрофанов, В.М. Симонов, Л.А. Коледов. М.: Высш.шк. 1987.
168 с.
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические
и технологические основы, надежность: Учеб. пособие для приборостроит. спец.
вузов. 2-е изд., перераб. и допол. М.: Высш. шк., 1986. 464 с
.
3. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие
для студентов вузов. М.: высш шк., 1986. 304 с.
4. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников: Учеб. пособие для
вузов. 2-е изд. перераб. и допол. М.: Высш. шк., 1984. 352 с.
5. Сугано Т., Икома Т., Такоиси Е. Введение в микроэлектронику. / Пер. с яп
.
М.: Мир, 1988. 320 с.
6. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводнико- вых
приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие для студентов вузов. 2-е
изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1979. 367 с.
7. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М.:
Радио и связь, 1991. 528 с.
8. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники
. М.: Сов. радио, 1971.
376 с.
3.2. Дополнительная литература
1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. / Пер. с англ. 2-е изд.
перераб. и доп. М.: Мир, 1984. Кн. 1-2.
2. Технология СБИС. / Пер. с англ.; Под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986. Кн. 1-2
3.Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. /Пер. с исп. С.И.
Баскакова;
Под ред. В.А. Терехова. М.: Высш.шк. 1991, 351 с.
