Физические основы микроэлектроники. Захаров А.Г. - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

4
Квантовые эффекты в тонких пленках.
[1, c.36-54]; [2, c.54-62]; [3, c.99-126, 156-171, 189-194];
[4, c.88-131, 155-182, 196-212]; [5, c.55-73].
2.7. Контактные явления (1 модуль – 4 часа, 2 модуль – 12 часов)
Работа выхода электронов из металлов и полупроводников. Термоэлект-
ронная эмиссия. Контактная разность потенциалов. Контакт металла с
полупроводником. Изменение приконтактного слоя во внешнем электричес-ком
поле. Барьер Шоттки. Диффузионная и диодная теории выпрямления на
контакте
металл-полупроводник. Омический контакт. Физические процессы,
определяющие разновидности способов формирования омических контактов.
Модуль 2 (24 часа)
Контакт двух полупроводников с различным типом проводимости. Равно-
весное состояние p-n-перехода. Электронно-дырочный переход при наруше- нии
равновесия внешним электрическим полем. Выпрямление на p-n-переходе.
Пробой p-n-перехода. Барьерная емкость p-n-перехода. Импульсные и частотные
свойства p-n-перехода
.
Туннельные диоды. Лавинно-пролетные диоды. Светодиоды и фото-диоды.
Физические основы эффекта Ганна. Диоды Ганна.
Принцип работы биполярного транзистора. Параметры и выходные
характеристики транзистора. Переходные процессы в транзисторах.
Контакт металл-полупроводник с барьером Шоттки в микроэлектронике.
Диоды с барьером Шоттки и интегральные биполярные транзисторы с барьером
Шоттки. Тонкопленочные приборы
с барьером Шоттки.
[1, c.58-130]; [2, c. 69-95]; [3, c.194-285]; [4, c.212-225, 311-320]; [5, c.75-107].
2.8. Поверхностные явления в полупроводниках (8 часов)
Поверхностные состояния в полупроводнике. Область пространственного
заряда у поверхности полупроводника. Эффект поля. Вольт-фарадные харак-
теристики структуры металл-диэлектрик-полупроводник.
Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем, ра-
ботающие на основе поверхностных эффектов. Поверхностный варикап. Физика
работы МДП – транзистора. Разновидности
МДП – транзисторов.
Приборы с зарядовой связью (ПЗС). Функциональные возможности ПЗС и
режимы их работы.
[1, c. 54-58, 130-140]; [2, c.62-69]; [3, c.270-277]; [4, c.320-322];
[5, c.107-131].
2.9. Физические основы методов формирования полупроводниковых
слоев и объемных областей с заданными свойствами (4 часа)
Основы процесса эпитаксиального роста полупроводниковых слоев.
Эпитаксиальные структуры. Механизм формирования и скорость роста эпи-

Страницы