Электротехнические материалы и техника высоких напряжений. Закарюкин В.П. - 80 стр.

       Данная лабораторная работа составлена на базе разработок В.В. Ло-
патина, М.Д. Носкова, О.И. Плешкова, А.А. Чеглокова из НИИ ВН, г.
Томск. Более подробное описание методов и явлений приведено в книгах
[10], [11], [12].

                           Результат моделирования
               при η = 1                             при η = 3




                Рис. 10                                Рис. 11

     2. Описание программного обеспечения
      Программное обеспечение, созданное на базе фрактальной модели
пробоя диэлектриков, позволяет изменять параметры моделирования в
широком диапазоне. Запуск исполняемого файла приводит к появлению на
экране заставки, которая исчезает после нажатия любой клавиши, после
чего отображается рабочий экран, состоящий из главного меню, списка
текущих параметров моделирования, окон, отображающих картину про-
боя, и графиков. Изменение параметров моделирования, просмотр текущих
значений в моделируемой области и управление программой производятся
через главное меню в верхней части рабочего экрана.
      Главное меню состоит из следующих семи пунктов.
      1. “Conditions” – ввод параметров модели, содержит подменю из пя-
ти пунктов:
   • “Condition” – запрос на ввод новых параметров, в случае положи-
      тельного ответа можно изменять длину острия L (Needle length) и
      значение приложенного напряжения U (Applied voltage);
   • “Dielectric” – выбор этого пункта позволяет изменять показатель рос-
      та η (Growth exponent), критическую напряженность поля Ес

                                     80