ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
равен U
0
, а потенциал нижнего электрода равен нулю.
Динамика движения зарядов и изменение проводимости разрядных
каналов определяются согласно формулам (3) - (5) в дискретной форме.
Величина интервала физического времени
∆
t, соответствующая данному
шагу моделирования, определяется распределением вероятностей роста
(1). Используя теорию вероятностей, можно показать, что значение
∆
t об-
ратно пропорционально величине нормирующего множителя
Z:
∆
t=
θ
/Z,
где
θ
является параметром перехода к физическому времени.
Таким образом, работа программы сводится к последовательному
выполнению следующих процедур на каждом шаге роста:
• расчет электрического потенциала по теореме Гаусса (2);
• определение места роста канала и интервала физического времени,
соответствующего данному шагу, в соответствии с распределением
вероятности (1);
• расчет изменения распределения зарядов согласно закону Ома (3) и
уравнению непрерывности (4);
• определение изменения проводимости каналов согласно формуле
Ромпе-Вейцеля (5).
Результат моделирования зависит от условий пробоя (напряжение
U,
длина острия
L) и параметров (E
c
,
η
,
θ
,
λ
), описывающих свойства диэлек-
трика. Параметры времени
θ
и увеличения проводимости
λ
определяют
скорость нарастания проводимости разрядных каналов. Увеличение
θ
и
λ
приводит к росту проводимости и уменьшению падения напряжения вдоль
разрядных каналов. Напряженность поля на концах разрядных каналов
увеличивается, а между одновременно развивающимися каналами умень-
шается. В результате этого разрядная структура становится менее ветви-
стой (фрактальная размерность
D уменьшается). Увеличение значения
критической напряженности
Е
c
приводит к сокращению числа возможных
путей роста разрядной структуры и, следовательно, к уменьшению ветви-
стости структуры разряда (
D→1). Если критическая напряженность Е
c
пре-
восходит локальную напряженность во всех точках, то развитие разряда
прекращается, и мы имеем незавершенный пробой. Параметр
η
определяет
зависимость вероятности роста от величины локальной напряженности по-
ля. При
η
=0 рост равновероятен для всех разрешенных направлений. В ре-
зультате будет образовываться плотная структура, полностью заполняю-
щая пространство (
D=2). При больших значениях параметра
η
(
η
>>1)
рост будет происходить только в направлении с наибольшей напряженно-
стью поля. При этом будет возникать линейная структура (
D=1). При зна-
чениях параметра
η
порядка единицы в процессе роста образуются ветвя-
щиеся структуры, размерность
D которых зависит от величины
η
. На рис.
10, 11 изображены картины разряда, полученные для значений параметра
η
, равных 1 и 3 соответственно, при прочих равных условиях.
79
равен U0, а потенциал нижнего электрода равен нулю. Динамика движения зарядов и изменение проводимости разрядных каналов определяются согласно формулам (3) - (5) в дискретной форме. Величина интервала физического времени ∆t, соответствующая данному шагу моделирования, определяется распределением вероятностей роста (1). Используя теорию вероятностей, можно показать, что значение ∆t об- ратно пропорционально величине нормирующего множителя Z: ∆t=θ/Z, где θ является параметром перехода к физическому времени. Таким образом, работа программы сводится к последовательному выполнению следующих процедур на каждом шаге роста: • расчет электрического потенциала по теореме Гаусса (2); • определение места роста канала и интервала физического времени, соответствующего данному шагу, в соответствии с распределением вероятности (1); • расчет изменения распределения зарядов согласно закону Ома (3) и уравнению непрерывности (4); • определение изменения проводимости каналов согласно формуле Ромпе-Вейцеля (5). Результат моделирования зависит от условий пробоя (напряжение U, длина острия L) и параметров (Ec, η, θ, λ), описывающих свойства диэлек- трика. Параметры времени θ и увеличения проводимости λ определяют скорость нарастания проводимости разрядных каналов. Увеличение θ и λ приводит к росту проводимости и уменьшению падения напряжения вдоль разрядных каналов. Напряженность поля на концах разрядных каналов увеличивается, а между одновременно развивающимися каналами умень- шается. В результате этого разрядная структура становится менее ветви- стой (фрактальная размерность D уменьшается). Увеличение значения критической напряженности Еc приводит к сокращению числа возможных путей роста разрядной структуры и, следовательно, к уменьшению ветви- стости структуры разряда (D→1). Если критическая напряженность Еc пре- восходит локальную напряженность во всех точках, то развитие разряда прекращается, и мы имеем незавершенный пробой. Параметр η определяет зависимость вероятности роста от величины локальной напряженности по- ля. При η=0 рост равновероятен для всех разрешенных направлений. В ре- зультате будет образовываться плотная структура, полностью заполняю- щая пространство (D=2). При больших значениях параметра η (η >>1) рост будет происходить только в направлении с наибольшей напряженно- стью поля. При этом будет возникать линейная структура (D=1). При зна- чениях параметра η порядка единицы в процессе роста образуются ветвя- щиеся структуры, размерность D которых зависит от величины η. На рис. 10, 11 изображены картины разряда, полученные для значений параметра η, равных 1 и 3 соответственно, при прочих равных условиях. 79
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 77
- 78
- 79
- 80
- 81
- …
- следующая ›
- последняя »