Аналоговая электроника. Заярный В.П - 45 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

45
(рис. 4, б). Числовые значения токов и напряжений на рис. 4 типовые и да-
ны для выполнения расчетного задания.
Для дифференциальных параметров транзистора в схеме с ОЭ (для
переменного сигнала имеют значения приращения токов и напряжений)
систему h – параметров (2) можно представить в виде:
КЭБК
КЭББЭ
UhIhI
UhIhU
2221
1211
.
Тогда, фиксируя поочередно U
КЭ
и I
Б
(при этом их приращения в приве-
денной системе уравнений равны нулю), можно записать:
constU
Б
БЭ
э
КЭ
I
U
h
11
– (3)
– имеет смысл входного дифференциального сопротивления транзистора;
constI
КЭ
БЭ
э
Б
U
U
h
12
– (4)
– имеет смысл коэффициента обратной связи по напряжению;
constU
Б
К
э
КЭ
I
I
h
21
– (5)
– имеет смысл коэффициента передачи (усиления) тока в схеме с ОЭ;
constI
КЭ
К
э
Б
U
I
h
22
– (6)
– имеет смысл выходной дифференциальной проводимости.
Все приведенные выше h – параметры транзистора можно опреде-
лить графически, используя его входную и выходную ВАХ. Для этого не-
обходимо выбрать рабочую точку, например, точку
А
(рис. 5), в окрестно-
стях которой будут расположены токи и напряжения усиливаемого сигна-
ла.
Параметры
э
h
11
и
э
h
12
определяются с помощью семейства входных
характеристик транзистора
БЭБ
UfI
1
(рис. 5, а).
Определим
э
h
11
для заданной рабочей точки. На входной ВАХ
(рис. 5, а) (для нее U
кэ
= const) в окрестностях рабочей точки А выбираем
две вспомогательные точки
1
А и
2
А . Для них определяем значения
БЭ
U и
Б
I и, подставляя их в (3), рассчитываем входное дифференциальное со-

Страницы