Аналоговая электроника. Заярный В.П - 46 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

46
противление. Приращения
БЭ
U и
Б
I выбирают так, чтобы не выходить за
пределы линейного участка.
а б
Рис. 5. К определению h - параметров транзистора: а – входные статические ВАХ
транзистора; б – выходные статические ВАХ транзистора
Графическое определение параметра
э
h
12
производится следующим
образом. На входных характеристиках (рис. 5, а), в окрестности рабочей
точки для фиксированного тока базы (например, I
бА1
,), определяются точки
А
1
и А
'
1
на характеристиках, снятых для постоянных напряжений U
кэ1
, U
кэ2
.
Проекции точек А
1
, А
'
1
на ось абсцисс позволяют определить
БЭ
U , а раз-
ность U
кэ1
и U
кэ2
– ΔU
кэ
. Подставляя найденные значения приращений
БЭ
U
и ΔU
кэ
в (4), определим значение
э
h
12
.
Параметры
э
h
21
и
э
h
22
определяются с помощью семейства выходных
характеристик транзистора
КЭК
UfI
2
(рис. 5, б).
Для нахождения параметра
э
h
21
выбираем две вспомогательные точ-
ки
1
А и
2
А при постоянном значении напряжения
0КЭКЭ
UU . Определяем
приращение тока базы
12 БББ
III и соответствующее ему приращение
тока коллектора
12 ККК
III . Воспользовавшись соотношением (5), полу-
чаем значение коэффициента передачи тока базы.
Параметр
э
h
22
определяется по наклону выходной характеристики в
заданной рабочей точке
А
, при постоянном значении тока базы (например,

Страницы