Аналоговая электроника. Заярный В.П - 48 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

48
например, с каналом n–типа (рис. 6, а). Данный транзистор изготовлен из
кремния n–типа. По левой и правой плоскостям кристалла тип проводимо-
сти изменен на p
+
. Эти области высокого легирования образуют с основ-
ным объемом кремния p–n – переходы, замыкаются между собой и обра-
зуют управляющий электрод, называемый затвором (З). Нижняя и верхняя
плоскости кристалла металлизированы и образуют еще два электрода
транзистора, которые называются, соответственно, исток (И) и сток (С).
Исток (аналог эмиттера у биполярного транзистора) эмиттирует основные
носители заряда, сток (аналог коллектора у биполярного транзистора) со-
бирает их.
Если к затвору относительно истока приложить отрицательное на-
пряжение (–U
ЗИ
), то вблизи p
+
– областей образуется зона, обедненная под-
вижными носителями заряда (электронами), то есть высокоомная зона, в
которой ток проводимости отсутствует. Толщина этого обедненного слоя
зависит от величины напряжения U
ЗИ
: при его увеличении (по модулю),
толщина обедненного слоя увеличивается, канал проводимости сужается.
Если приложить к стоку положительное напряжение относительно истока
(U
СИ
>0), то через этот канал свободные электроны будут двигаться к сто-
ку, образуя ток стока (I
С
). Чем больше по модулю напряжение U
ЗИ
, тем
толще обедненный слой, тем меньше сечение канала проводимости (его
сопротивление при этом увеличивается), тем меньше ток через канал. Та-
ким образом, увеличивая напряжение U
ЗИ
в область его отрицательных
значений, можно добиться смыкания обедненной зоны. При этом ток в ка-
нале будет равен нулю (произойдет отсечка тока при напряжении отсечки
U
ЗИотс
).
Наоборот, если напряжение U
ЗИ
изменять в сторону нуля, то толщина
обедненной области будет уменьшаться, сечение канала будет увеличи-
ваться, ток через него (I
С
) также будет увеличиваться. Этот эффект моду-
ляции канала проводимости у данного транзистора (канал n–типа) позво-
ляет использовать его в качестве усилителя. В данном случае, для n–
канального транзистора эффект модуляции канала сохраняется для отри-
цательных значений напряжения U
ЗИ
в пределах от U
ЗИотс
до нуля. Если на
затвор транзистора подать положительный потенциал относительно исто-

Страницы