Аналоговая электроника. Заярный В.П - 47 стр.

UptoLike

47
А
ББ
II ). Для нахождения требуемых приращений выбирают две вспомога-
тельные точки
*
1
А и
*
2
А . Для них определяют приращение коллекторного
напряжения
12
*
КК
UUU и приращение коллекторного тока
*
1
*
2
*
ККК
III (рис. 5, б). Подставляя их в (6), определим значение выход-
ной дифференциальной проводимости.
3.1.4. Полевые (униполярные) транзисторы
Полевые (униполярные) транзисторы бывают двух разновидностей: с
управляемым p–n – переходом и в виде структуры «металл-диэлектрик
(оксид)-полупроводник» или МДП (МОП) транзисторы. Подробное опи-
сание этих транзисторов имеется в рекомендуемой литературе. Здесь рас-
смотрим подробнее полевые транзисторы первой разновидности.
Полевые транзисторы с управляемым p–n переходом представляют
собой затвор, образуемый запертыми p–n переходами, имеющий канал
проводимости в объеме полупроводника. Рассмотрим принцип действия
этого транзистора, упрощенная конструкция и условное графическое обо-
значение которого показаны на рис. 6. Полевые транзисторы могут иметь
канал проводимости n типа, когда носителями заряда являются электро-
ны или p типа, когда носителями заряда являются дырки. Принцип их
работы одинаков, поэтому достаточно рассмотреть один из транзисторов,
а б
Рис. 6. Упрощенная конструкция и условное графическое обозначение полевого
транзистора с управляемым p–n – переходом: а – канал n типа; бканал p – типа