Основы электротехнологий. Анненков Ю.М - 94 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

каф. ЭИКТ ЭЛТИ ТПУ
94
где V - скорость испарения металла, г/(см
2.
сек);
Р - давление насыщенного пара металла, мм. рт. ст.;
М - молекулярный вес;
R - газовая постоянная, (R = 8,316 Дж
.
град
-1.
моль
-1
);
Т - абсолютная температура, К.
С ростом температуры увеличивается давление паров металла и, со-
ответственно, скорость испарения металла. Пары металла, ведущие себя
как газ, распространяются прямолинейно от поверхности испарителя.
Если на пути движения молекулярного потока испаренного металла по-
местить конденсатор, то на поверхности этого конденсатора образуется
пленка сконденсированного вещества. Для большинства
металлов кон-
денсация их паров при комнатной температуре не сопровождается от-
ражением атомов от конденсатора, т.е. каждый ударившийся о поверх-
ность атом остается на этой поверхности.
Скоростью конденсации (десублимации) или удельной плотностью
конденсирующего потока молекул на поверхности, называется количе-
ство молекул, которое в единицу времени фактически сцепляется с по-
верхностью конденсатора (подложки).
ν
k =
βν, (6)
где ν - число молекул, ударяющихся в единицу времени о по-
верхность подложки;
β - коэффициент аккомодации, представляющий собой отношение
числа молекул, фактически сконденсировавшихся на поверхности в
единицу времени, к числу молекул, ударившихся о поверхность за то же
время.
Коэффициент аккомодации зависит от температуры поверхности
подложки. С ростом температуры значительно увеличивается
отраже-
ние атомного пучка от поверхности
конденсатора.
При температуре выше, так на-
зываемой, критической температуры
атомы испаренного металла полно-
стью отражаются от конденсатора.
Для разных металлов величина кри-
тической температуры различная.
Распределение конденсата на
принимаемой поверхности подложки
зависит от формы испарителя и под-
ложки, а также от их взаимного расположения (рис
. 2).

Страницы